Microsemi發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)

致力實(shí)現(xiàn)智能化的安全互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司( )宣布，旗下SoC產(chǎn)品部門(mén)(原為愛(ài)特公司 )發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)，以用于構(gòu)建公司下一代基于快閃的可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(system-on-chip, SoC)。美高森美的低功耗智能混合信號(hào)和系統(tǒng)關(guān)鍵系列SoC具有四輸入查找表(look up , LUT)架構(gòu)，將會(huì)集中使用化的65nm嵌入式快閃工藝。相比前一代產(chǎn)品，器件密度能夠提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，性能則提升一倍。新平臺(tái)能夠降低動(dòng)態(tài)功耗65%，并提升*特性以降低靜態(tài)電流，從而維持企業(yè)在低功耗領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來(lái)的器件將備有總線接口，并集成增強(qiáng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)部件如嵌入式微處理器內(nèi)核、DSP模塊、高速收發(fā)器、存儲(chǔ)器接口、非易失性閃存和可編程模擬部件。

美高森美SoC產(chǎn)品部市場(chǎng)推廣及銷售高級(jí)副總裁Jay Legenhausen稱：“在現(xiàn)今的設(shè)計(jì)中，對(duì)低功耗、固件錯(cuò)誤免疫力、安全性和高集成度需求是絕對(duì)不能妥協(xié)的。通過(guò)轉(zhuǎn)向65nm工藝，我們能夠提高產(chǎn)品密度并改善功耗特性和性能，從而瞄準(zhǔn)范圍大幅擴(kuò)大的工業(yè)、醫(yī)療、軍事/、航空、通信和消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)。”

美高森美和臺(tái)灣聯(lián)華電子公司(UMC)是首批推出65nm嵌入式快閃工藝的企業(yè)，公司內(nèi)部業(yè)已完成首個(gè)商業(yè)化硅器件。美高森美系統(tǒng)級(jí)芯片產(chǎn)品部門(mén)正針對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的先期采納廠商推出客戶導(dǎo)引計(jì)劃，使這些廠商能夠及早將新興技術(shù)用于其下一代設(shè)計(jì)。

快閃技術(shù)在太空領(lǐng)域的應(yīng)用

美高森美SoC產(chǎn)品部門(mén)的前身愛(ài)特公司，在過(guò)去20多年來(lái)致力于太空和航空工業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新，在衛(wèi)星控制系統(tǒng)領(lǐng)域擁有的強(qiáng)大實(shí)力。Legenhausen續(xù)稱：“我們計(jì)劃擴(kuò)展在市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，瞄準(zhǔn)性能、密度和信號(hào)處理能力均有關(guān)鍵要求的有效載荷應(yīng)用。我們的非易失性快閃技術(shù)具備可重編程性和無(wú)與倫比的可靠性，是擁有強(qiáng)大的吸引力的。”

美高森美還宣布下一代基于快閃技術(shù)的耐輻射(RT) SoC的先期快報(bào)：第四代RT 具有多達(dá)2000萬(wàn)個(gè)系統(tǒng)門(mén)，提供更大的觸發(fā)器、存儲(chǔ)器和增強(qiáng)的嵌入式IP內(nèi)核陣列。這些器件將包括數(shù)字信號(hào)處理(DSP)模塊、PLL和高速接口(如Wire、/3、PCI )，以便快速、有效地在片上和片外獲取數(shù)據(jù)。全新的基于快閃技術(shù)的架構(gòu)能夠緩減總體輻射劑量和單事件效應(yīng)(SEE)。相比 ，美高森美基于快閃技術(shù)的耐輻射FPGA由于固有單事件翻轉(zhuǎn)(SEU)免疫能力，因而無(wú)需電路板級(jí)別的緩減方案。

由于太空應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)計(jì)周期通常較長(zhǎng)，美高森美在一年多前已經(jīng)就下一代太空飛行FPGA與客戶接洽，而第五期全球 Forum講座系列將于2010年12月2日在美國(guó)洛杉磯開(kāi)展。