賽靈思推出高性能DSP平臺(tái)VIRTEX-5 SXT FPGA

zetex推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的n 溝道增強(qiáng)模式 mosfet。 　　這三款新產(chǎn)品分別為 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封裝）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（兩者均為sot23封裝）。這些器件均具有1.8vgs條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2v 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可以直接通過(guò)邏輯門來(lái)驅(qū)動(dòng)。

　　三款新 mosfet可確保1.8vgs 條件下的導(dǎo)通電阻 (rds(on) ) 分別低于75毫歐（m?）、100毫歐（m?）和200毫歐（m?），使之在低壓應(yīng)用中大顯身手，例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān)，以及低壓微控制器和電機(jī)、電磁鐵等負(fù)載的緩沖等。 快速開關(guān)性能是zetex專有umos技術(shù)的另一個(gè)主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情況下，上升和下降時(shí)間僅為3.6ns和10.5ns。