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LTE芯片可謂是LTE發(fā)展的一道短板,但隨著運營商部署的推進,相關(guān)芯片廠商也在加速攻關(guān)。一件引人注目的事件是聯(lián)芯科技發(fā)布了INNOPOWER原動力系列芯片的。具有標志意義的是LTE多模芯片系列,一款是可支持到4G、3G、2G的,該款芯片是率先支持祖沖之算法的LTE多模芯片;另外一款是純4G版本,即支持TD-LTE和LTEFDD的雙?;鶐酒琇,該芯片不但可以滿足純LTE數(shù)據(jù)終端市場需求,也可與各種制式靈活適配,滿足多樣化的市場需求。雖然芯片“成熟度”的提升將為LTE加快商用破解最后一道“難關(guān)”,但其發(fā)展仍面臨重重挑戰(zhàn)。

  多模多頻成為挑戰(zhàn)

  多模多頻對終端設(shè)備的技術(shù)要求很高,芯片的設(shè)計和算法也應(yīng)根據(jù)多模特性進行優(yōu)化。

  多模LTE面臨多重挑戰(zhàn),主要挑戰(zhàn)是要支持日漸增多的頻段,以滿足部署和漫游需求。

  目前,在多模頻段上,不同國家有不同的頻段。在TD-LTE方面,中國、日本、美國的應(yīng)用頻段各不相同,中國TD-LTE應(yīng)用在38頻段、39頻段和40頻段,日本和美國是在41頻段部署TD-LTE技術(shù)。此外,在LTEFDD方面,使用的光譜頻段更具多樣性。

  多模多頻的具體挑戰(zhàn)表現(xiàn)在兩個方面:一方面由于需要支持LTE和2G、3G多個模式、多個頻段,對終端設(shè)備的技術(shù)有很高的要求,需要支持近17個不同的頻段;另一方面,對于不同的國家和地區(qū)之間該如何協(xié)調(diào)頻段間的資源,這也是一個至關(guān)重要又比較棘手的問題。

  “多模需要克服系統(tǒng)互操作性、芯片復(fù)雜度、系統(tǒng)干擾、芯片面積與成本、終端結(jié)構(gòu)等技術(shù)挑戰(zhàn)。”重郵信科市場總監(jiān)彭大芹也指出。

  移動產(chǎn)品市場總監(jiān)張路博士強調(diào),在設(shè)計上,需要能夠適應(yīng)不斷提升的LTE互操作需求;在技術(shù)上,需要提供穩(wěn)健的切換能力及低功耗性能。

  “整個芯片的設(shè)計和算法都要根據(jù)多模的特性進行優(yōu)化,射頻芯片設(shè)計的復(fù)雜度和配套外圍器件的復(fù)雜度也都很高。還需要根據(jù)實際需求定制相關(guān)的元器件。”展訊通信有限公司市場經(jīng)理王舒翀認為。

  北京創(chuàng)毅訊聯(lián)科技股份有限公司董事長兼CEO張輝博士指出:“多模TD-LTE產(chǎn)品重點在消費類市場,會隨著中國移動的布局和用戶的需求逐步成為市場的主流。在實現(xiàn)多模技術(shù)上,主要解決互操作性問題。”

  面臨多模多頻的技術(shù)挑戰(zhàn),各家企業(yè)也在技術(shù)上進行探索實現(xiàn),也看到一些顯著的成效。

  研制的多模TD-LTE調(diào)制解調(diào)芯片PXA1802,在技術(shù)上能夠支持無縫的移動通信。重郵信科CYIT前期主要側(cè)重支持LTE//GSM多模。創(chuàng)毅已經(jīng)出貨TDD/FDD共模的芯片WarpDrive5000,未來還將陸續(xù)推出支持TDL和TDS的多模芯片WarpDrive6000,并和采用28nm工藝的LTEadvanced的基帶芯片一起,成為LTE多模全平臺的智能手機turnkey方案。展訊去年發(fā)布首款基于40nm工藝的TD-LTE多?;鶐酒琒C9610,該單顆芯片集成了多模通信標準,包括多頻段TD-LTE/和四頻/GSM/。

  LTE規(guī)模商用還需2~3年

  終端的話音、功耗、體積、應(yīng)用等問題解決后,LTE才能規(guī)模發(fā)展。

  LTE目前大部分是數(shù)據(jù)類終端,多模手機LTE模塊僅用于數(shù)據(jù)業(yè)務(wù),語音尚不成熟,LTE商用進度如何,何時能夠規(guī)模商用,這些也成為業(yè)界關(guān)注的問題。

  張路指出,由于多模LTE智能手機一般需要配備3G芯片和LTE基帶芯片,這樣的架構(gòu)對功耗優(yōu)化帶來很大的挑戰(zhàn)。因為3G和4G發(fā)射器各自獨立運行,這樣在測量、處理、協(xié)調(diào)等方面會造成許多重復(fù)。

  “目前基于3G手機的大部分方案是65nm,平均待機時間為1天半,已經(jīng)獲得市場的認可;對于LTE手機來說,40nm可以達到商用標準。創(chuàng)毅已率先推出國內(nèi)LTE/TDS的多模手機,功耗達到了移動二階段試驗網(wǎng)的要求,未來的手機功耗將隨著智能機的普及越來越會受到大家的關(guān)注,芯片將會演進到28nm工藝。”張輝認為。

  TD-LTE未來市場廣闊,展訊已開始配合國內(nèi)外客戶開發(fā)支持TD-LTE的各種終端產(chǎn)品。

  張路提到,目前TD-LTE在全球的部署正在展開,但市場表現(xiàn)不一。由于各國頻譜管制政策和法規(guī)不同,TD-LTE可能首先在中國之外的地區(qū)實現(xiàn)商業(yè)化部署。然而,中國仍然是最大的TD-LTE移動市場,中國移動為部署TD-LTE也出臺了一系列的策略,推動TD-LTE不斷走強。推出的基于40nm工藝的LTE基帶芯片PXA1802能夠支持包括數(shù)據(jù)軟件狗、LTEMiFi及LTE智能手機在內(nèi)的多種技術(shù)。Marvell將在2013年致力于單芯片片上系統(tǒng)的開發(fā),將領(lǐng)先的基帶集成到高性能、多核應(yīng)用處理器技術(shù)中。

  通訊微電子研究院技術(shù)總監(jiān)朱曉明告訴記者:“從目前的應(yīng)用上講,45nm工藝終端芯片支持多模手機是沒有問題的。LTE模塊耗電雖然有些高,但是傳輸速度大,耗時就會短,實際上是省電的。LTE真正要把潛能發(fā)揮出來,比如容量更大、傳輸速度更高、能耗更低,則需要28nm的工藝。LTE大規(guī)模的推出需要等到2013年。”

  TD-LTE技術(shù)優(yōu)勢主要體現(xiàn)在數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)上。在TD-LTE發(fā)展初期和此后較長一段時間內(nèi),支持數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)卡、MIFI等數(shù)據(jù)類終端產(chǎn)品將是市場主要的產(chǎn)品形態(tài)。

  “LTE智能終端只有在話音、功耗、體積、應(yīng)用等終端環(huán)節(jié)解決后才可能規(guī)模發(fā)展,預(yù)計將在2014年之后。”彭大芹認為。

  未來TD-LTE將向TD-LTE-A演進,需要支持更高速率的傳輸,這對芯片廠商提出了更高的要求。

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