很少人會想到 NAND快閃記憶體已經快要消失在地平線上、即將被某種新技術取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于快閃記憶體儲存系統(tǒng)的電話會議，聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導引到IBM在下一代記憶體技術的規(guī)劃上，于是很驚訝地發(fā)現這些人居然都認為 NAND快閃記憶體很快就會被新記憶體技術取代。
筆者在去年7月的HotChips大會上曾經做過一場簡報，指出快閃記憶體在未來十年將會是主流記憶體技術;而現在該產業(yè)才剛進入SanDisk所說的「1Ynm」世代，接著還將邁入「1Znm」世代。SanDisk認為，在「1Znm」之后，平面記憶體將式微，我們將進入3D記憶體的時代;其他 NAND快閃記憶體制造大廠也有類似的預測。
不過有鑒于這個產業(yè)的運作模式，在「1Znm」世代之后，若出現另一條延續(xù)平面記憶體生命的新途徑也不足為奇;因此如果以每個記憶體世代兩年生命周期來計算，平面快閃記憶體應該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會擁有3D NAND快閃記憶體技術。
雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開始量產3D結構的V-NAND快閃記憶體，但該產品的稀有性意味著它還沒準備好取代平面記憶體的地位;筆者猜測，3D記憶體技術到2017年以前應該都還不會真正的大量生產。
今日大多數廠商都預期3D記憶體在式微之前也會經歷三個世代，因此同樣以兩年一個世代來計算，NAND快閃記憶體技術應該在4~6年之后，還會有另外一個6年的生命;所以在記憶體產業(yè)真的需要新技術來驅動產品價格下降那時，應該已經是10~12年之后了。
我的意思并不是其他記憶體技術有什么不對，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價格能比 NAND快閃記憶體更低廉;而且在 NAND快閃記憶體到達制程微縮極限之前，也沒有其他的動能可以改變現在的狀況。無論如何，要達到最低的成本、總是要有最大的產量，NAND快閃記憶體與 DRAM目前就是比其他任何一種記憶體技術更便宜的方案。
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