可靠性(Reliability)是對產(chǎn)品耐久力的測量, 我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線(Bathtub Curve)來表示。
如上圖示意, 集成電路的失效原因大致分為三個階段：
Region (I) 被稱為早夭期(Infancy period), 這個階段產(chǎn)品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC設(shè)計和生產(chǎn)過程中的缺陷;
Region (II) 被稱為使用期(Useful life period), 這個階段產(chǎn)品的失效率保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機的，比如溫度變化等等;
Region (III) 被稱為磨耗期(Wear-Out period) 這個階段產(chǎn)品的失效率會快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長期使用所造成的老化等。
軍工級器件老化篩選
元器件壽命試驗
ESD等級、Latch_up測試評價
高低溫性能分析試驗
集成電路微缺陷分析
封裝缺陷無損檢測及分析
電遷移、熱載流子評價分析
根據(jù)試驗等級分為如下幾類：
一、使用壽命測試項目(Life test items)
EFR：早期失效等級測試( Early fail Rate Test )
目的：評估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品
測試條件：在特定時間內(nèi)動態(tài)提升溫度和電壓對產(chǎn)品進(jìn)行測試
失效機制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷污等由于生產(chǎn)造成的失效
參考標(biāo)準(zhǔn)：
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
HTOL/ LTOL：高/低溫操作生命期試驗(High/ Low Temperature Operating Life )
目的：評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力
測試條件: 125℃，1.1VCC, 動態(tài)測試
失效機制：電子遷移，氧化層破裂，相互擴散，不穩(wěn)定性，離子玷污等
參考數(shù)據(jù)：
125℃條件下1000小時測試通過IC可以保證持續(xù)使用4年，2000小時測試持續(xù)使用8年;150℃ 1000小時測試通過保證使用8年，2000小時保證使用28年
參考標(biāo)準(zhǔn)：
MIT-STD-883E Method 1005.8
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
二、環(huán)境測試項目(Environmental test items)
PRE-CON：預(yù)處理測試( Precondition Test )
目的：模擬IC在使用之前在一定濕度，溫度條件下存儲的耐久力，也就是IC從生產(chǎn)到使用之間存儲的可靠性
THB：加速式溫濕度及偏壓測試(Temperature Humidity Bias Test )
目的：評估IC產(chǎn)品在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進(jìn)程
測試條件：85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias
失效機制：電解腐蝕
參考標(biāo)準(zhǔn)：
JESD22-A101-D
EIAJED- 4701-D122
高加速溫濕度及偏壓測試(HAST: Highly Accelerated Stress Test )
目的：評估IC產(chǎn)品在偏壓下高溫，高濕，高氣壓條件下對濕度的抵抗能力，加速其失效過程
測試條件：130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm
失效機制：電離腐蝕，封裝密封性
參考標(biāo)準(zhǔn)：
JESD22-A110
PCT：高壓蒸煮試驗 Pressure Cook Test (Autoclave Test)
目的： 評估IC產(chǎn)品在高溫，高濕，高氣壓條件下對濕度的抵抗能力，加速其失效過程
測試條件：130℃， 85%RH, Static bias，15PSIG(2 atm)
失效機制：化學(xué)金屬腐蝕，封裝密封性
參考標(biāo)準(zhǔn)：
JESD22-A102
EIAJED- 4701-B123
*HAST與THB的區(qū)別在于溫度更高，并且考慮到壓力因素，實驗時間可以縮短，而PCT則不加偏壓，但濕度增大。
TCT：高低溫循環(huán)試驗(Temperature Cycling Test )
目的：評估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動的空氣從高溫到低溫重復(fù)變化
測試條件：
Condition B:-55℃ to 125℃
Condition C: -65℃ to 150℃
失效機制：電介質(zhì)的斷裂，導(dǎo)體和絕緣體的斷裂，不同界面的分層
參考標(biāo)準(zhǔn)：
MIT-STD-883E Method 1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED- 4701-B-131
TST：高低溫沖擊試驗(Thermal Shock Test )
目的：評估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動的液體從高溫到低溫重復(fù)變化
測試條件：
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效機制：電介質(zhì)的斷裂，材料的老化(如bond wires), 導(dǎo)體機械變形
參考標(biāo)準(zhǔn)：
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED- 4701-B-141
* TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測試，而TST偏重于晶園的測試
HTST：高溫儲存試驗(High Temperature Storage Life Test )
目的：評估IC產(chǎn)品在實際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時間
測試條件：150℃
失效機制：化學(xué)和擴散效應(yīng)，Au-Al 共金效應(yīng)
參考標(biāo)準(zhǔn)：
MIT-STD-883E Method 1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED- 4701-B111
可焊性試驗(Solderability Test )
目的：評估IC leads在粘錫過程中的可靠度
測試方法：
Step1：蒸汽老化8 小時
Step2：浸入245℃錫盆中 5秒
失效標(biāo)準(zhǔn)(Failure Criterion)：至少95%良率
具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)
MIT-STD-883E Method 2003.7
JESD22-B102
SHT Test:焊接熱量耐久測試( Solder Heat Resistivity Test )
目的：評估IC 對瞬間高溫的敏感度
測試方法：侵入260℃ 錫盆中10秒
失效標(biāo)準(zhǔn)(Failure Criterion)：根據(jù)電測試結(jié)果
具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)
MIT-STD-883E Method 2003.7
EIAJED- 4701-B106
三、耐久性測試項目(Endurance test items )
周期耐久性測試(Endurance Cycling Test )
目的：評估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能
Test Method：將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲單元，在擦除數(shù)據(jù)，重復(fù)這個過程多次
測試條件：室溫，或者更高，每個數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100k~1000k
參考標(biāo)準(zhǔn)：
MIT-STD-883E Method 1033
下載文檔
