搞輻射環(huán)境設(shè)計(jì)技術(shù)

;;; ;用于通信衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星ACT4060等航天器中的電子元器件，由于長(zhǎng)期在太空環(huán)境下工作，要受到來自太陽(yáng)和銀河系的各種射線的輻射。在輻射環(huán)境中通常要考慮的有5類粒子：7射線、電子、質(zhì)子、中子和來自宇宙或核裂變的高能核子[16]。在核爆環(huán)境和反應(yīng)堆附近，電子元器件也會(huì)受到各種高能射線的損傷。
;; ;宇宙輻射環(huán)境及效應(yīng)
;;; 表1-28 c16]概述了一般宇宙飛船的輻射水平。;;;;;;;;;; ;;;;;; ;;; 宇宙環(huán)境的破壞效應(yīng)一般可分為：
;;; ①高能電子和質(zhì)子引起的永久性破壞效應(yīng)。
;;; ②宇宙射線或俘獲質(zhì)子的單一相互作用造成的、高度局部的電離或位移效應(yīng)。
;;; 輻射損傷機(jī)理主要有位移效應(yīng)、電離效應(yīng)、劑量增強(qiáng)效應(yīng)、低劑量率效應(yīng)等。
;;; 輻照粒子（中子、7肘線等）與被輻射材料的原子核發(fā)生碰撞產(chǎn)生位移，導(dǎo)致空位一間隙原子對(duì)（缺陷）的產(chǎn)生，引起材料電導(dǎo)率和少數(shù)載流子壽命的變化，導(dǎo)致體積電阻率增大。例如，半導(dǎo)體材料有3個(gè)微觀物理參數(shù)，即少子壽命r、純摻雜質(zhì)濃度n和遷移率灶。中子輻射在半導(dǎo)體材料內(nèi)引入缺陷和缺陷群，從而改變了這3個(gè)微觀物理量，使半導(dǎo)體器件所有的電參數(shù)產(chǎn)生變化。