Motorola微晶層芯片使閃存取得突破

摩托羅拉公司即將宣布，該公司已經(jīng)制作了一款利用一層硅晶保存數(shù)據(jù)的閃存，這一突破將幫助閃存制造業(yè)克服長久以來難以克服的技術(shù)障礙。

　　閃存芯片內(nèi)極小的開關(guān)包含在一層二氧化硅中，因此可以將數(shù)據(jù)保存10年以上，二氧化硅中電子的多少便代表著計算機(jī)可以讀取的1和0。閃存目前普遍用于手機(jī)、工業(yè)設(shè)備和移動存儲卡中。業(yè)內(nèi)分析家們此前一致認(rèn)為閃存中二氧化硅的厚度在未來五年內(nèi)不會減少。然
而一旦摩托羅拉公司的突破得以應(yīng)用，閃存產(chǎn)品的價格將大為降低，性能也將得到大幅提高。摩托羅拉公司半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)部門負(fù)責(zé)人稱：“我們將使閃存產(chǎn)品的儲存容量提高一倍以上?！?/P>

　　閃存越薄就意味著制造商們可以利用一個晶元生產(chǎn)出更多的產(chǎn)品，產(chǎn)品的尺寸大小一直都是閃存制造業(yè)取得贏利和進(jìn)行批量生產(chǎn)的關(guān)鍵因素。盡管閃存的產(chǎn)量不斷增加，但價格的降低使各廠家很難取得贏利。摩托羅拉方面稱，自己的微晶層要比二氧化硅薄的多，事實上已不能算是固體，就象是玻璃上的一層霜。盡管在傳統(tǒng)意義上硅是一種半導(dǎo)體，但在這么薄的狀態(tài)下其已經(jīng)變成了一種絕緣體，將電子和數(shù)據(jù)保存其中。

　　如果一切順利，摩托羅拉將于2005年正式生產(chǎn)樣品，大約半年后進(jìn)入大批量生產(chǎn)。在研究微晶層的同時摩托羅拉還考慮使用一種名為Sonos的氧化物代替二氧化硅，但是目前看來微晶層稍顯優(yōu)勢。摩托羅拉稱將于今年年底之前確定在未來采用哪種技術(shù)。