飛利浦開發(fā)新半導(dǎo)體材料 可產(chǎn)超薄芯片

　　【eNews消息】周三荷蘭飛利浦電子公司稱，它的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種新型材料，可將內(nèi)存整合到非常先進(jìn)的具有超薄電路的半導(dǎo)體中。這種材料在開和關(guān)之間只需很低的電壓，這有助于在未來生產(chǎn)具有更薄、更小電路的芯片。新材料可在芯片處于斷電的情況下記憶數(shù)據(jù)，這一點類似于當(dāng)前用于便攜音樂播放器和數(shù)碼相機(jī)的閃存芯片。 

　　飛利浦研究機(jī)構(gòu)在聲明中稱，與現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)如閃存不同的是，新內(nèi)存的性能改進(jìn)體現(xiàn)在每一個部件你都能使它變得更小。到2007或2008年時它可滿足對需要在一塊芯片上被整合到一個系統(tǒng)的內(nèi)存的需求。到那時芯片將具有50納米的電路，比今天的90納米技術(shù)更先進(jìn)。 

　　使用的這種材料是一種被稱為銻/碲的具有半導(dǎo)體特性的合金，當(dāng)電流通過時它會轉(zhuǎn)換相位狀態(tài)并保持這種狀態(tài)直到另一股電流通過。這種相變材料已經(jīng)使用在可重寫的CD和DVD產(chǎn)品上。新材料的另一個優(yōu)勢是廉價，并能迅速地在兩個相位之間轉(zhuǎn)換。飛利浦說，它的速度是現(xiàn)在閃存的100-200倍，在特定應(yīng)用上可替代DRAM。使用在個人電腦上的DRAM是另一種內(nèi)存，但它不能在斷電的情況下記憶數(shù)據(jù)。 

　　低生產(chǎn)成本和快速轉(zhuǎn)換次數(shù)可制造單內(nèi)存芯片架構(gòu)。飛利浦研究機(jī)構(gòu)Scalable Unified Memory項目的主管Karen Attenborough稱，置入式內(nèi)存行業(yè)的目標(biāo)是替代所有其他類型芯片的被稱為一元化內(nèi)存的芯片，使其同時具備SRAM的速度、DRAM內(nèi)存密度和閃存的非揮發(fā)性能。