TI 發(fā)布45納米芯片制造工藝

  日前，德州儀器 (TI) 發(fā)布了45納米(nm)半導(dǎo)體制造工藝的細(xì)節(jié)，該工藝采用濕法光刻技術(shù)，可使每個(gè)硅片的芯片產(chǎn)出數(shù)量提高一倍，從而提高了工藝性能并降低了功耗。通過采用多種專有技術(shù)，TI將集成數(shù)百萬晶體管的片上系統(tǒng)處理器的功能提升到新的水平，使性能提高30%，并同時(shí)降低40%的功耗。

  TI 在 45 納米工藝中采用了 SmartReflex™ 電源與性能管理技術(shù)，將智能化的自適應(yīng)硅芯片、電路設(shè)計(jì)以及有關(guān)軟件結(jié)合在一起。在 SmartReflex 技術(shù)的基礎(chǔ)之上，TI 采用系統(tǒng)級技術(shù)以擴(kuò)展整個(gè) 45 納米 SoC 設(shè)計(jì)的功能，其中包括自適應(yīng)軟硬件技術(shù)，該技術(shù)能夠根據(jù)設(shè)備的工作狀態(tài)、工作模式與過程以及溫度變化情況，動(dòng)態(tài)地控制電壓、頻率與功耗。

  全新工藝還支持具有革命性突破的 DRP™ 架構(gòu)，以便于 TI 在單芯片無線解決方案上集成數(shù)字 RF 功能。這種 SoC 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)無線傳輸與接收功能，這使 TI 能夠通過其高效率的 CMOS 制造基礎(chǔ)來降低整體系統(tǒng)成本與功耗，釋放板級空間。TI 45 納米設(shè)計(jì)庫還包括其它集成選項(xiàng)，如電阻器、感應(yīng)器與電容器等多種模擬組件，從而使原先獨(dú)立的功能實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步的 SoC 集成。

  TI 率先采用 193 納米濕浸式光刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了競爭對手的 45 納米干式光刻技術(shù)所難以企及的高密度。193 納米濕浸式設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更高的解析度與更小的器件體積，從而為面向新工藝的升級提供了最大的特性優(yōu)勢。193 納米濕浸式設(shè)備的工作原理是在透鏡與晶圓間加入薄薄的液體層，以簡化更精細(xì)尺寸電路的曝光工藝。

  與前代工藝技術(shù)一樣，TI 將提供多套 45 納米解決方案，這些解決方案均針對不同最終產(chǎn)品或應(yīng)用的要求而專門進(jìn)行了優(yōu)化。通過調(diào)節(jié)晶體管的柵極長度、閾值電壓、柵極介電層厚度或偏置條件等方法，電路設(shè)計(jì)人員可通過多種途徑，創(chuàng)建靈活的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。

  TI 位于得克薩斯州達(dá)拉斯的 DMOS6 工廠將在其 300 毫米晶圓生產(chǎn)中導(dǎo)入 45納米工藝。低功耗 ASIC 設(shè)計(jì)庫將于今年年底上市，首款 SoC 產(chǎn)品樣片將于 2007 年推出，首批量產(chǎn)時(shí)間定于 2008 年年中。

  TI 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Hans Stork 博士指出：“例如在手機(jī)處理器與 DSP系統(tǒng)方面，TI憑借在芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力將推出45納米的低成本工藝技術(shù)，并同時(shí)兼顧了性能、功耗及晶體管密度等方面的問題。這使客戶能盡早推出速度更快、體積更小、功耗更低的產(chǎn)品，TI不斷通過高良率晶圓推出數(shù)百萬芯片，在業(yè)界始終處于領(lǐng)先地位?！?

  TI預(yù)計(jì)，45 納米工藝與 SoC 集成功能將使消費(fèi)者體驗(yàn)高達(dá) 30% 的設(shè)備速度提升，這意味著每秒更多視頻幀，從而實(shí)現(xiàn)更佳的移動(dòng)電話用戶體驗(yàn)。此外，無線用戶將可以享受到同時(shí)運(yùn)行多個(gè)應(yīng)用的好處，如運(yùn)行3D游戲的同時(shí)與游戲伙伴們進(jìn)行視頻交流，還可以在后臺收發(fā)電子郵件。其它預(yù)測顯示，TI 45納米SoC將使功耗降低40%，從而獲得更長的視頻播放時(shí)間，并把手機(jī)待機(jī)時(shí)間延長高達(dá) 30%。