瑞薩與松下聯(lián)手打造新型SoC工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)線
瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)與松下公司(以下簡(jiǎn)稱松下)共同宣布,在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯(lián)合開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的 SoC 工藝技術(shù),并將其 28-32nm 工藝開(kāi)發(fā)線投入運(yùn)營(yíng)。在瑞薩那珂分部,兩家公司正通過(guò)致力于對(duì) 300nm 晶圓產(chǎn)品線的聯(lián)合開(kāi)發(fā)和提供聯(lián)合開(kāi)發(fā)結(jié)構(gòu),進(jìn)行 28nm 工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā),旨在不久的將來(lái)將其投入批量生產(chǎn)。
早在1998年瑞薩還未正式成立之時(shí),即已與松下約定聯(lián)合開(kāi)發(fā)新一代 SoC 技術(shù),并在瑞薩北伊丹事務(wù)所(兵庫(kù)縣依丹市)不斷開(kāi)發(fā)面向 90nm、65nm、45nm 和 32nm 系列的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。2008年10月,在將具有金屬/高k柵極堆棧結(jié)構(gòu)與面向 32nm 系統(tǒng) SoC 工藝的超低k材料晶體管技術(shù)進(jìn)行結(jié)合,而使互聯(lián)技術(shù)得到開(kāi)發(fā)后,即確立了將其投入批量生產(chǎn)的目標(biāo)日期。此后,在2009年7月,雙方又利用面向 28nm 工藝的金屬/高k柵極堆棧結(jié)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)了 SRAM 單元?,F(xiàn)在,在這些成果的基礎(chǔ)上,兩家公司開(kāi)始運(yùn)營(yíng)該生產(chǎn)線,以便在新近安裝于瑞薩那珂分部的 300nm 晶圓開(kāi)發(fā)線內(nèi),利用 28nm 制造工藝技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)全集成技術(shù)。
在那珂分部的開(kāi)發(fā)線中,除了從瑞薩北伊丹事務(wù)所轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的部分開(kāi)發(fā)線設(shè)備以外,兩家公司還安裝了全新的生產(chǎn)設(shè)備,以開(kāi)發(fā)批量生產(chǎn)中實(shí)際所需的晶圓尺寸的產(chǎn)品,完成順利向批量生產(chǎn)階段的過(guò)渡,達(dá)到削減開(kāi)發(fā)成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間,從而提高開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)效率的目的。
28-32nm SoC 工藝技術(shù)作為聯(lián)合開(kāi)發(fā)的成果,已經(jīng)應(yīng)用到兩家公司推出的先進(jìn)移動(dòng)應(yīng)用和數(shù)字家電的 SoC 中。此外,這些產(chǎn)品也已在兩家公司的各個(gè)分部實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。
從促進(jìn)早期技術(shù)積累到取得如今的成果,兩家公司一直借助于這種長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系,進(jìn)行持續(xù)有效地開(kāi)發(fā),并致力于將這些先進(jìn)技術(shù)及早地投入到應(yīng)用中去。