世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）今天宣布，基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝平臺，已成功地開發(fā)出了具有超高可靠性（UHR- UltraHighReliability）的嵌入式非揮發(fā)性存儲器模塊（EEPROM/FlashIP），使0.13微米SONOSEEPROM /FlashIP的數(shù)據(jù)保存時間從常規(guī)的10年提升到了超過30年，而擦寫次數(shù)則從100K大幅提高到超過500K。這次在0.13微米嵌入式存儲器工藝上的技術提升將進一步擴大華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲器代工市場上的競爭優(yōu)勢，鞏固公司在智能卡和安全類芯片領域的領導廠商地位。
華虹NEC銷售與市場副總裁高峰表示：“華虹NEC長期以來致力于嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝的研發(fā)和生產(chǎn)，從0.35微米EEPROM工藝到0.13微米SONOSEEPROM/Flash工藝，一直保持代工領域嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術的全球領先地位。針對目前金融IC卡、M2MSIM、智能電表等高端市場對產(chǎn)品高可靠性提出的需求越來越多，要求也越來越高，華虹NEC在0.13微米SONOSEEPROM/FlashIP現(xiàn)有的高性能、超低功耗和超小的面積等眾多競爭優(yōu)勢的基礎上，又持續(xù)進行創(chuàng)新和升級，推出了具備超過30年數(shù)據(jù)保存時間和50萬次數(shù)據(jù)擦寫能力的EEPROM/Flash模塊。這次技術的提升能幫助客戶進一步鞏固其產(chǎn)品的市場競爭力，并支持客戶的產(chǎn)品在未來能進入更高端的應用市場。今后，華虹NEC還將在工藝的研發(fā)和技術的創(chuàng)新上持續(xù)投入，不斷地擴大現(xiàn)有的市場競爭優(yōu)勢與領導地位。”
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