2015年第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。

在淡季影響下，各DRAM廠第二季營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光 (Micron)的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，DRAMeXchange預(yù)期未來DRAM價(jià)格的跌幅恐怕持續(xù)。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，三星與SK海力士在全球第二季DRAM廠自有品牌記憶體市占率各為45.1%以及27.7%，穩(wěn)定盤據(jù)全球超過七成的供給比例。美光半導(dǎo)體約為20.6%，主要衰退除了來自于跌價(jià)損失外，位元供給未現(xiàn)成長(zhǎng)也是原因之一。

第二季DRAM廠商營(yíng)收排行

從技術(shù)面觀察，DRAMeXchange認(rèn)為三星的最新制程20nm表現(xiàn)令人驚艷，不僅導(dǎo)入順利、良率穩(wěn)定，時(shí)程更是大幅領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手約半年到一年，持續(xù)展現(xiàn)其領(lǐng)導(dǎo)廠商的制程優(yōu)勢(shì)。目前三星的20nm較大幅度集中在標(biāo)準(zhǔn)型記憶體以及伺服器記憶體，但很快就會(huì)普及到所有的產(chǎn)品類別，在現(xiàn)今跌價(jià)的市場(chǎng)中持續(xù)帶來成本優(yōu)化的優(yōu)勢(shì)。

SK海力士最新制程21nm尚處于最初期的試產(chǎn)階段，已經(jīng)遞延到第三季底才送交驗(yàn)證的樣品，真正大量生產(chǎn)的時(shí)序會(huì)跟美光的20nm相當(dāng)接近，落在明年的第一季。而美光集團(tuán)方面，制程微縮與上季相較未顯突破，仍維持在30nm，使得成本壓力相較于兩家韓商高出許多。

在臺(tái)系廠商部分，南亞科目前在30nm微縮制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度順利，預(yù)計(jì)產(chǎn)出年末將來到60%，營(yíng)收方面小幅下滑5.1%，20nm制程預(yù)計(jì)明年下半年新工廠完工后導(dǎo)入量產(chǎn)行列。華亞科由于產(chǎn)品組合多以近期下跌幅度最劇烈的標(biāo)準(zhǔn)型記憶體與伺服器用記憶體為主，加上30nm制程落后于韓系廠商，毛利率從上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。

力晶由于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體生產(chǎn)多屬代工性質(zhì)，營(yíng)收較第一季維持一樣衰退，25nm制程方面現(xiàn)已進(jìn)入試產(chǎn)階段，如順利最快明年初可以導(dǎo)入量產(chǎn)。華邦雖無標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)品產(chǎn)出，但大容量利基型記憶體市場(chǎng)也陷入殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的困境，營(yíng)收衰退8.5%左右，獲利也小幅下滑至11.2%。