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[導(dǎo)讀]手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的硬件發(fā)展可謂日新月異,僅幾年的時(shí)間,處理芯片已經(jīng)從單核發(fā)展到了八核,屏幕分辨率從960x540發(fā)展到了2K,運(yùn)行內(nèi)存也從1GB發(fā)展到了6GB。其實(shí)對(duì)于手機(jī)硬件狂飆猛進(jìn)的發(fā)展現(xiàn)象還是比較好理解的,畢竟我們對(duì)手機(jī)運(yùn)行速度有著較高的要求。

手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的硬件發(fā)展可謂日新月異,僅幾年的時(shí)間,處理芯片已經(jīng)從單核發(fā)展到了八核,屏幕分辨率從960x540發(fā)展到了2K,運(yùn)行內(nèi)存也從1GB發(fā)展到了6GB。其實(shí)對(duì)于手機(jī)硬件狂飆猛進(jìn)的發(fā)展現(xiàn)象還是比較好理解的,畢竟我們對(duì)手機(jī)運(yùn)行速度有著較高的要求。

實(shí)際上,除CPU、GPU、運(yùn)行內(nèi)存等核心硬件會(huì)影響手機(jī)的性能外,閃存(ROM)也是影響手機(jī)處理速度的重要部件。畢竟閃存決定著手機(jī)讀寫數(shù)據(jù)的速度,手機(jī)閃存讀寫速度越快,手機(jī)安裝或者啟動(dòng)APP以及存放文件的速度也就越快。

 

手機(jī)的閃存的內(nèi)部構(gòu)造與U盤和SSD的差異不太,同樣具備了NAND(存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的MLC/TLC閃存顆粒)以及負(fù)責(zé)控制數(shù)據(jù)傳輸和閃存磨損平衡的主控IC,只是因?yàn)槭謾C(jī)內(nèi)部空間有限(寸土寸金),兩者是終被封裝到同一塊芯片內(nèi)。

然而,小到掉到地板也不好撿的手機(jī)閃存,在近幾年來也有著突飛猛進(jìn)的發(fā)展。譬如,手機(jī)閃存的eMMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格從eMMC 4.4發(fā)展到eMMC 4.5,讀取速度實(shí)現(xiàn)翻番達(dá)到200MB/s。然后,很快又進(jìn)入了eMMC 5.0時(shí)代,讀寫速度再次翻番達(dá)到400MB/s。

接著,在去年初的時(shí)候迎來最新的eMMC5.1,理論帶寬達(dá)到600MB/s。這時(shí)eMMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格已經(jīng)基本榨干,攪局者UFS 2.0便開始亮相。

 

進(jìn)入U(xiǎn)FS 2.0時(shí)代,讀寫速度提升300%

相較于eMMC的閃存,UFS 2.0的閃存采用了新的標(biāo)準(zhǔn),其使用的是串行界面,支持全雙工運(yùn)行,能夠同時(shí)讀寫數(shù)據(jù)(eMMC是半雙工,讀寫必須分開執(zhí)行)。

因此,在讀寫速度上面,UFS 2.0會(huì)領(lǐng)先eMMC一大截,譬如UFS 2.0閃存讀寫速度最高可達(dá)到1400MB/s,是eMMC 5.0的3倍。

 

三星在15年初最早在Galaxy S6上使用了UFS 2.0內(nèi)存,目前,包括高通驍龍821/820、三星Exynos 8890等旗艦芯片都已經(jīng)支持UFS 2.0,UFS 2.0已經(jīng)逐步普及到各種旗艦機(jī)型上。

除了三星外,東芝和海力士也已經(jīng)能夠生產(chǎn)UFS2.0,相信UFS 2.0的全面普及將很快來臨。

 

值得一提的是,UFS 2.0的閃存除了讀寫速度有著巨大優(yōu)勢,其功耗也有著較為理想的表現(xiàn)。

同時(shí),雖然UFS 2.0滿載時(shí)的功耗功率比eMMC的高,但其待機(jī)功耗只有eMMC的一半左右,而且UFS 2.0可以更快地完成操作而切換到待機(jī)狀態(tài),因此其綜合功耗水平與eMMC的差不多。

UFS 2.0沒對(duì)手?蘋果還跑在前頭

實(shí)際上,UFS 2.0目前并非沒有對(duì)手,而其強(qiáng)敵就是蘋果。

蘋果使用的移動(dòng)閃存方案借鑒了MacBook固態(tài)存儲(chǔ)的方案,非常前瞻性地引入了NVMe協(xié)議,而且支持TLC/SLC混合緩存加速。相較傳統(tǒng)的SCSI接口協(xié)議,NVMe協(xié)議具有高效率、低負(fù)載的特性,因此性能更高而且低延時(shí)。

 

 

實(shí)際的讀寫測試結(jié)果顯示,iPhone 6s Plus的內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取速度明顯比Galaxy S7的UFS 2.0閃存快,而且iPhone 6s Plus的內(nèi)存數(shù)據(jù)寫入速度是Galaxy S7的UFS 2.0閃存的2.65倍。

不過,在隨機(jī)讀寫速度方面,iPhone 6s Plus的閃存卻被UFS 2.0扳回了一城,但整體來看,iPhone 6s Plus的閃存連續(xù)讀寫速度還是遙遙領(lǐng)先UFS 2.0。

PS:最新的iPhone 7使用的依然是NVMe存儲(chǔ),性能相比于iPhone 6s沒有太大變化,只有一些正常波動(dòng),整體水平依然遠(yuǎn)勝安卓陣營。

 

 

 

 

不急,UFS 2.1才是大殺器!

盡管目前UFS 2.0的閃存被蘋果壓制著,但其還有很大的提升空間。實(shí)際上,UFS 2.0共有兩個(gè)版本,其中一個(gè)是HS-G2,也就是目前的UFS 2.0。

然而,另個(gè)一個(gè)版本則為HS-G3,可以稱為UFS 2.1,其數(shù)據(jù)讀取速度將飆至1.5G/s,也就是目前UFS 2.0的兩倍。

由于UFS 2.1具有更快的數(shù)據(jù)讀寫速度,相信其很快就會(huì)代替UFS 2.0 ,成為主流的閃存方案。如果,UFS 2.1得以普及,我們手機(jī)運(yùn)行速度以及文件存放速度將會(huì)有明顯的提升,而且留給開發(fā)者的開發(fā)空間將更大。因此,UFS 2.1技術(shù)的商用是目前行業(yè)關(guān)注的集點(diǎn)。

據(jù)悉,三星計(jì)劃在今年內(nèi)投產(chǎn)UFS 2.1閃存,而且也有可能是首家采用該閃存的廠商。此外,還有消息稱華為計(jì)劃在今年內(nèi)發(fā)布的麒麟960處理器也將支持UFS 2.1,而且新機(jī)也有可能率先使用UFS 2.1的閃存。

實(shí)際上,這方面華為、三星都有希望成為第一個(gè)。究竟是誰呢?讓我們拭目以待。

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