東芝芯片業(yè)務遲遲未定,而中國芯何時才能展現(xiàn)輝煌
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
存儲器作為智能終端產品中的重要元件,一直是芯片行業(yè)的重要組成部分,也是我國發(fā)展半導體產業(yè)的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領域受關注的行業(yè)事件中,東芝出售存儲芯片業(yè)務絕對要算在其中,且近日又有關于此事的消息傳出。
據(jù)報道,日本政府目前正在進一步地參與到東芝出售存儲芯片業(yè)務的交易中,此前這筆交易因為種種原因進展緩慢,已經引發(fā)了投資者的不滿。
據(jù)悉,日本政府正在努力和東芝內部達成意見一致,加速交易進程。熟悉此次競購的消息人士稱,東芝存在“基礎性的公司治理缺陷”。
東芝作為全球閃存的發(fā)明者和領先企業(yè),在市場份額上,僅次于三星電子名列全球第二。而此次出售存儲芯片業(yè)務的交易還導致東芝與合作伙伴西部數(shù)據(jù)之間發(fā)生了法律糾紛。東芝出售存儲芯片業(yè)務是為了彌補巨額虧損,避免被東京股票交易所摘牌。參與談判的銀行家和律師表示,考慮到交易的必要流程,東芝必須在8月底之前確定買家。
目前討論的焦點仍是來自由貝恩資本、日本政府基金INCJ,以及SK海力士所組成財團提出的方案。
中國芯何時閃耀世界?
存儲器是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備,存儲器芯片領域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內的信息就流失了,例如DRAM,電腦中的內存條。非易失性:斷電以后,存儲器內的信息仍然存在,主要是閃存(NAND FLASH和NOR FLASH),NOR主要應用于代碼存儲介質中,而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲。在整個存儲器芯片里面,主要有的三種產品是:DRAM、NOR FLASH和NAND FLASH。
在芯片行業(yè),處理器等邏輯電路一直都占第一位,不過隨著數(shù)據(jù)的不斷爆炸性增長,市場對存儲芯片的需求在不斷增長,這導致存儲芯片市場的容量正在迅速增長,估計很快將超過邏輯電路。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)顯示2016年邏輯電路市場容量為883億美元,存儲芯片市場容量為743億美元,兩者的差距已縮小到20%以內。其中,閃存芯片是一個發(fā)展前景廣闊的朝陽業(yè)務,目前智能手機、個人電腦配置的閃存越來越多。
目前國內在用的NAND、DRAM芯片幾乎全部依賴進口,以紫光為首的公司正在大力推動國產NAND芯片,32層堆棧的3D NAND閃存已經出樣,預計明年開始量產,2019年則要推出64層3D NAND閃存。
目前NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)公司壟斷,然而隨著物聯(lián)網需求的發(fā)展,存儲芯片更成為電子行業(yè)的剛需。
中國也積極接入存儲產業(yè),整合上游廠商發(fā)展出具中國自有技術并聯(lián)合中、下游的產業(yè),形成群聚效應,進而推進中國半導體產業(yè)的進一步成長。
目前發(fā)展最快的,是紫光主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地,他們的主要產品就是國產3D NAND閃存。來自中科院的消息稱,長江存儲研發(fā)的3D NAND閃存已經取得標志性進展,堆棧層數(shù)達到了32層。
相比國際大廠的研發(fā)進度,三星、美光和東芝都開始向72層及以上的研發(fā)加快步伐,國內的研發(fā)進程還有一定距離。
不過,3D閃存工廠的生產裝備將在2018年Q1季度完成安裝,2019年則會完全量產。目標是在2020年時技術上達到國際領先的存儲芯片供應商的水平,實現(xiàn)存儲芯片的后發(fā)先至。
中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產能,而國家存儲芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大。在強大的市場需求及中國政府的財政支持下,我們希望能早日看到“中國芯”的產品出現(xiàn)在世界的舞臺。