近年來，摩爾定律失效“魔咒”的聲音不斷，英特爾更新制程的周期也不再遵循Tick-Tock模式，新制程周期的拉長讓業(yè)界產(chǎn)生懷疑，現(xiàn)在已經(jīng)走到14納米，是不是很快將到達極限?另一方面，競爭對手們趁英特爾還在14納米階段就推出所謂的10納米制程，在市場大肆販賣?？此贫及?ldquo;摩爾定律”為父，可誰是“親生”讓用戶真假難辨。
英特爾：摩爾定律不會失效
在各種混淆視聽的言論下，英特爾決定今天站出來以正視聽。9月19日，英特爾在京舉辦“英特爾精尖制造日”活動，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展。包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨。
不難看出，英特爾要通過這場充滿干貨的新技術(shù)發(fā)布展示自己在芯片工藝制程技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)力，宣示摩爾定律不死。另一方面通過大量的技術(shù)對比，將三星、臺積電等競爭對手的芯片制程與自己之間絕對的差異展現(xiàn)無疑。
英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith強調(diào)，摩爾定律不會失效!“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進制程工藝，每一代都會帶來更強的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本。”
Stacy Smith進一步表示，英特爾推動摩爾定律向前發(fā)展的能力——每一年都持續(xù)降低產(chǎn)品價格并提升其性能——是英特爾的核心競爭優(yōu)勢。英特爾一直以來都是并將繼續(xù)成為推動摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，目前英特爾在制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性。
英特爾認為，市面上競爭對手推出的10納米并不符合摩爾定律，不能實現(xiàn)摩爾定律對新制程的定義。摩爾定律是指每一代制程工藝的晶體管密度加倍，縱觀發(fā)展史，業(yè)界在命名新制程節(jié)點時會比上一代縮小30%，這種線性縮放意味著晶體管密度提高一倍。近來，也許是因為進一步的制程升級越來越難，一些競爭公司背離了摩爾定律的法則，即使晶體管密度增加很少，或者根本沒有增加，但他們?nèi)岳^續(xù)推進采用新一代制程節(jié)點命名。
披露10納米制程的功耗和性能最新進展
英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度和晶體管性能方面，英特爾10納米均領(lǐng)先其他競爭友商“10納米”整整一代。通過采用超微縮技術(shù)(hyper scaling)，英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。
馬博還演示了他提出的晶體管密度計算公式 ，用以規(guī)范晶體管密度的通用衡量標準，以此厘清當(dāng)前業(yè)內(nèi)制程節(jié)點命名亂象，這也是英特爾不懈的堅持和努力，將有助于更加容易地比較不同廠商之間的技術(shù)。
22FFL的功耗和性能最新進展
馬博同時介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細節(jié)。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動上首次宣布的一種面向移動應(yīng)用的超低功耗FinFET技術(shù)。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實現(xiàn)超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。
揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計劃
在本次活動上，英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計劃。研發(fā)代號為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來全新水平的性能，以支持數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長的帶寬需求。
英特爾和Arm在10納米制程合作
在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(IDF)上，英特爾晶圓代工宣布與Arm達成協(xié)議，雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開發(fā)和應(yīng)用。作為這一合作的結(jié)晶，今天的“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標準設(shè)計流程，可實現(xiàn)超過3GHz的性能。
發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層TLC 3D NAND固態(tài)盤
英特爾還宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級單元(TLC)3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開始向部分頂級云服務(wù)提供商發(fā)貨，旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。在存儲領(lǐng)域30年的專業(yè)積淀，使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構(gòu)和制造工藝。英特爾的制程領(lǐng)先性，使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤產(chǎn)品組合，迅速從客戶端產(chǎn)品擴展到今天的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤產(chǎn)品。到2017年年底，該產(chǎn)品將在更大范圍內(nèi)上市。
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