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[導讀]在DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象。據(jù)業(yè)者估計,2017年DRAM整體價格漲幅將高達39%,在智能手機存儲器容量提升以及服務(wù)器需求的驅(qū)動下,明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象。

在DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象。據(jù)業(yè)者估計,2017年DRAM整體價格漲幅將高達39%,在智能手機存儲器容量提升以及服務(wù)器需求的驅(qū)動下,明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象。

據(jù)市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求,帶動2017年第一季度上漲30%以上。以DRAM市場整體走向來看,今年第三季度平均漲幅約7%,未來第四季度漲幅約5%-10%,雖然漲幅依舊,但是至2018年,漲幅會逐漸趨于平穩(wěn),相比2017年,漲幅不會太大。

DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因為以下幾點,其一,近年來,小米、華為以及OPPO等國產(chǎn)手機開始走中高端路線。其二,數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對于DRAM需求加強。其三,DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限,技術(shù)研發(fā)難度增加,導致供貨短缺。

至于NAND Flash走勢情況,據(jù)業(yè)者分析,在今年第四季度蘋果需求的沖擊下,其缺口會逐漸擴大,但是除蘋果外,其余手機廠商對于NAND Flash并沒有需求,所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季,整體價格可能會不升反降。

在芯片市場的沖擊下,三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額,強勢控制價格增長的比率。至于國內(nèi)外其余芯片企業(yè),則“分羹”較少,處于緊追猛趕的狀態(tài),但整體來看,國內(nèi)外市場短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景。

三星的布局

在經(jīng)歷Galaxy Note 7手機爆炸的影響后,三星對于產(chǎn)品質(zhì)量以及生產(chǎn)過程有了嚴格的把控,借助于DRAM市場漲勢,三星漸漸“恢復元氣”。作為全球最大的DRAM芯片制造商,三星無疑是這場漲勢中最大的受益者,據(jù)第二季業(yè)績展望報告顯示,其營業(yè)利潤再創(chuàng)新高,同比增長約72%,預(yù)計未來第三季度將持續(xù)增長。

據(jù)了解,蘋果、OPPO、三星以及Vivo已經(jīng)承包了三星DRAM近70%的產(chǎn)量,而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相關(guān)印刷電路板材料短缺的問題,使得DRAM供應(yīng)短缺更加嚴重。

對于新技術(shù)研發(fā)方面,三星似乎早有布局。據(jù)消息稱,三星目前正在研發(fā)17nmDRAM,預(yù)計明年將進入量產(chǎn)階段。同時,三星也展開了16nmDRAM的研發(fā),不過最快量產(chǎn)時間也將在2020年,畢竟隨著制程技術(shù)提升,后面的研發(fā)難度會越來越大。而且三星預(yù)測15nm將接近DRAM的物理極限,未來將很長時間開發(fā)新材質(zhì),提升制程穩(wěn)定性以便于縮小線寬。

以目前市場來看,Galaxy Note 8的預(yù)定量再創(chuàng)歷史新高,而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星,故三星第三季度的營收數(shù)據(jù)肯定不會太差,據(jù)消息透漏,三星將于月底公布營收的詳細結(jié)果。

 

美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)

此前,美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)由于氮氣泄露的原因,造成5000至1萬片的晶圓直接報廢,4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。好在公司迅速解決并恢復正常生產(chǎn)運作,對于其之后的產(chǎn)能并沒有太大的影響。

8月14日,美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)悉,這個工廠主要用于美光研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲技術(shù),美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠,未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術(shù)的研發(fā)。

受惠于DRAM市場的漲潮,美光預(yù)計2017年會計年度第四季營收同比增長91%,高達61.38億美元,且對于2017年底營收的展望遠超市場預(yù)期,預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示,美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩(wěn)定階段,從產(chǎn)業(yè)目前情況來看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。

 

SK海力士強勢出擊

對于內(nèi)存與存儲器市場,SK海力士則表現(xiàn)的極為“豪氣”,直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產(chǎn),似乎是市場趨勢一片大好的原因,SK海力士將兩廠擴產(chǎn)竣工的時間直接縮短至明年第四季度。

據(jù)了解,此次SK海力士擴產(chǎn)主要用于技術(shù)升級,產(chǎn)能至多提升3%-5%,相對于美光來說,這更像是一場新技術(shù)研發(fā)速度的比賽,畢竟美光剛建設(shè)新廠不久,兩者建設(shè)新廠的目的似乎不謀而合。

在產(chǎn)品研發(fā)上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。

在NAND Flash 產(chǎn)品方面,美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片,相比于上一代48層堆疊芯片,其運行速度提升2倍,讀寫性能提升了20%,生產(chǎn)效能也增長了30%,目前已經(jīng)開始量產(chǎn)。

總結(jié):

在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下,三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀,而是不斷研發(fā)全新產(chǎn)品。在這場角逐中,或許他們?nèi)叨际勤A家。

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