真空互聯(lián)技術可實現(xiàn)新型半導體材料和器件創(chuàng)新

日前，由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學會議在蘇州舉行，來自國內(nèi)外的40多位專家學者參會。本次大會的主題為“化合物半導體器件的異質(zhì)集成與界面調(diào)控”，中科院院士李樹深、黃如、中科院蘇州納米所所長楊輝、香港大學教授謝茂海擔任本次大會的執(zhí)行主席。

半導體與集成電路在人類社會各領域的應用越來越廣泛，也越來越重要。經(jīng)歷半個多世紀的發(fā)展，硅集成電路日前的器件尺度與集成度已接近現(xiàn)有技術的極限。中科院蘇州納米所王永疆博士介紹，隨著硅集成電路的高度發(fā)展，III-V族化合物(主要包括鎵化砷、磷化銦和氮化鎵)半導體材料與器件的開發(fā)和應用越來越受到廣泛關注，已經(jīng)成為半導體產(chǎn)業(yè)的另外一個支柱。硅半導體與化合物半導體的結(jié)合是未來信息發(fā)展領域的一個必然趨勢。“異質(zhì)集成與界面調(diào)控是該領域的關鍵共性難題，其背后深層次的科學問題在于表面/界面的本征性質(zhì)、量子效應及原子操控等。利用全新的真空互聯(lián)技術，可以從本質(zhì)上認識納米材料與器件中的量子效應，進行表、界面精確調(diào)控，實現(xiàn)新型半導體材料與器件的創(chuàng)新”，王永疆說。

納米真空互聯(lián)綜合實驗站是一個用于材料生長、器件加工、測試分析的完整系統(tǒng)。所有樣品均可在超高真空環(huán)境中準確、快速、平穩(wěn)地進行傳送?！吨袊茖W報》記者了解到，目前中科院蘇州納米所正在建設全世界規(guī)模最大、功能最全，集材料生長、測試分析、器件工藝于一體的納米真空互聯(lián)實驗大裝置，建成后將對發(fā)展新一代納米電子與器件研究有重要促進作用。目前，這個納米真空互聯(lián)實驗大裝置一期建設進展順利，部分設備已經(jīng)互聯(lián)，在歐姆接觸、能帶工程數(shù)據(jù)庫等方面的研究取得初步進展，最終目標是建成總長約500米的超高真空管道，實現(xiàn)上百臺儀器設備的互聯(lián)。

會議期間，與會專家還就未來納米光電器件研究、硅基化合物半導體材料與器件集成研究、新型二維材料研究及器件探索等議題進行了深入研討。