NAND Flash價格先降后升，DRAM則持續(xù)走高

2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?

綜合目前業(yè)界的看法，DRAM 熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND 部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND 良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017 年第四季引爆，至少2018 年上半年恐怕都不會太理想，最快2018 年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。

DRAM 無新增產(chǎn)能

首先就DRAM 部分，以大方向來說，2018 年在Fab 端并無新增產(chǎn)能，頂多就是制程從2X 奈米推進到1X 奈米或是1Y 奈米，帶動位元的成長。市調(diào)單位集邦科技更直接表示，2018 年各DRAM 廠資本支出計畫都傾向保守，新增投片量約5～7%，這些新增產(chǎn)能都來自現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃與制程轉(zhuǎn)進。

此外，集邦也提到，隨著智能手機記憶體容量升級，以及伺服器、資料中心需求強勁，2018 年DRAM 需求將成長約20.6%，供給端方面，預(yù)估將提升19.6%，為此，就整體面來看，2018 年整體DRAM 產(chǎn)業(yè)供需持續(xù)吃緊無虞，也因此，2018 年各大DRAM 廠商，包括三星、SK 海力士、美光，甚至是臺灣的南亞科、華邦電持續(xù)穩(wěn)健獲利不成問題。

但目前在DRAM 端有兩點要留意與觀察，第一、雖然2018 年整體DRAM 端無新增Fab 的產(chǎn)能出來，但是三星有意在平澤(Pyeongtaek)興建第二座12 吋廠，SK 海力士也將在無錫興建第二座12 吋廠，這兩大廠的新廠產(chǎn)能最快2019 年才會開出。

只是韓媒持續(xù)報導(dǎo)，三星將在DRAM 端持續(xù)擴大產(chǎn)出的消息，不斷動搖市場對DRAM 產(chǎn)業(yè)的信心。韓媒不斷提到，三星在平澤廠區(qū)的半導(dǎo)體廠是兩層樓建筑，二樓無塵室將近完工，這些空間將投入DRAM 的擴建，但根據(jù)記憶體業(yè)者的透露，這兩層樓中，有一層是投入3D NAND 的擴產(chǎn)，至于另外一層樓中，有意置入月產(chǎn)能五萬片的DRAM 產(chǎn)線，只是設(shè)備商也透露，三星還沒下單采購設(shè)備，因此所謂新增五萬片的DRAM 產(chǎn)能想在2018 年就開出，真的很困難。

伺服器記憶體合約價續(xù)漲

第二個觀察點是，DRAM 種類繁多，包括Commodity、Specialty、Mobile、Server 等DRAM，因為彼此間有產(chǎn)能排擠效應(yīng)，究竟在2018 年，哪幾種會最缺，價格漲幅最大，市況還不明朗，因為國際三大DRAM 廠，三星、SK 海力士與美光，尚未揭露2018 年的產(chǎn)品組合。

但市調(diào)單位集邦科技已經(jīng)提前預(yù)測，2018 年最缺的會是Server DRAM。集邦認為，資料中心的伺服器需求與日俱增，2018 年伺服器記憶體的成長率將達28.6%，續(xù)居記憶體各大產(chǎn)品線之首，帶動價格上漲，主要原因包括第一、Intel 與AMD新伺服器平臺轉(zhuǎn)換推波助瀾，以及第二、北美網(wǎng)絡(luò)服務(wù)業(yè)者如Google、Amazon Web Service、Facebook 與Microsoft Azure 在新資料中心建案上的需求。

而光是2018年第一季，伺服器記憶體合約價將再上漲約5～8%，屆時主流模組報價方面，一線廠32GB伺服器模組將達300 美元大關(guān)，二線廠更會高于此價格，使得2018年第一季度價格將會維持在相對高點。

2018年NAND產(chǎn)業(yè)怎么看?業(yè)界多估「先下后上」，而與NAND產(chǎn)業(yè)連動性最高的群聯(lián)董事長潘健成估第一季價跌需求增，第二季報價回穩(wěn)，第三季供不應(yīng)求。而其實，因3D NAND良率終于快速上升，尤其64/72層3D NAND紛紛量產(chǎn)，并已優(yōu)先應(yīng)用于SSD產(chǎn)品線，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起漲價，通路商開始大舉拋貨，報價下看30 美元。