中國崛起！中國首個自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生

在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝;2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4;2019 年底實現(xiàn)產能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設;2021 年完成 17 納米技術研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

長鑫睿力起源于“506項目”。“506項目”起源于2016年5月6日兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經開區(qū)主要領導研討合肥的存儲器項目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名。“506”項目包含合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體。項目的目標為自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM。