短期內(nèi)中國(guó)大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國(guó)際與存儲(chǔ)器族群

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)，預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片，未來(lái)最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片，中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國(guó)際購(gòu)并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導(dǎo)致短期內(nèi)中國(guó)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

然而值得一提的是，今年5月中國(guó)大陸突襲調(diào)查Samsung、SK Hynix、Micron等國(guó)際DRAM大廠，調(diào)查內(nèi)容主要涉及近年DRAM價(jià)格飆漲和業(yè)界反映的產(chǎn)品搭售問(wèn)題，名目雖是以反壟斷的名義約談，但市場(chǎng)多認(rèn)為中國(guó)大陸實(shí)質(zhì)恐是希望在中國(guó)大陸存儲(chǔ)器廠即將量產(chǎn)的關(guān)鍵時(shí)刻，期望國(guó)際三大存儲(chǔ)器廠能夠在專利的部分給予中國(guó)大陸廠商一些空間，借此換取談判的籌碼。

事實(shí)上，中國(guó)大陸存儲(chǔ)器是否能于2018年底或2019年初正式進(jìn)入量產(chǎn)并銷售的階段，仍有待后續(xù)觀察，畢竟目前DRAM及NAND Flash的專利都掌握在國(guó)際大廠手中，況且累積數(shù)量可觀、范圍廣泛的專利資產(chǎn)，在沒(méi)有獲得授權(quán)技轉(zhuǎn)情況下很容易發(fā)生侵權(quán);況且存儲(chǔ)器制程推進(jìn)速度快，在沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)的情況下，要建立生產(chǎn)線并進(jìn)入量產(chǎn)投片階段的難度大增;此外，中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者雖然嘗試透過(guò)延攬任職于其他公司的工程師，帶來(lái)相關(guān)知識(shí)以提升技術(shù)，但此做法有引發(fā)訴訟等各種問(wèn)題的可能。

而中國(guó)大陸集成電路制造龍頭中芯國(guó)際方面，估計(jì)持續(xù)位居2018年上半年全球晶圓代工第5名，且市占率由2017年的5.4%提升至5.9%，主要是受惠于2018年第2季28納米產(chǎn)品組合回升至高個(gè)位數(shù)的占比，且存儲(chǔ)及CIS等產(chǎn)品訂單增量改善公司的產(chǎn)能利用率所致。不過(guò)2018年下半年中芯國(guó)際面臨新增產(chǎn)能所需設(shè)備到位時(shí)間不確定、同業(yè)擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)壓力，因此公司營(yíng)收增速以及毛利率恐出現(xiàn)雙重回落的風(fēng)險(xiǎn)。在未突破高階28奈米技術(shù)HKC+量產(chǎn)進(jìn)程之前，今年仍為中芯國(guó)際技術(shù)進(jìn)階及業(yè)績(jī)壓力并存的過(guò)渡期。

整體來(lái)說(shuō)，5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、工業(yè)機(jī)器人、智能穿戴式裝置等給中國(guó)大陸集成電路制造業(yè)帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力，特別是中美貿(mào)易戰(zhàn)的中興通訊事件更加速與確立中國(guó)大陸發(fā)展半導(dǎo)體的決心，官方也意識(shí)到集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)中基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性和戰(zhàn)略性的產(chǎn)業(yè)，集成電路產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)弱是國(guó)家綜合實(shí)力強(qiáng)大與否的重要標(biāo)志。為了不受制于人，并且能分享未來(lái)新興領(lǐng)域的紅利，發(fā)展自主集成電路已經(jīng)成為中國(guó)大陸刻不容緩的首要之務(wù);不過(guò)短期內(nèi)中國(guó)大陸集成電路制造業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)，仍系于中芯國(guó)際與存儲(chǔ)器族群。