我國自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片將于今年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)悉，長江存儲于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團(tuán)隊歷時2年自主研發(fā)，是中國主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片，實(shí)現(xiàn)了中國存儲芯片“零”的突破。

刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層三維閃存芯片將在一號芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。此外，64層三維閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行，計劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

刁石京表示，中國芯片技術(shù)落后于世界，但自主研發(fā)的腳步始終沒有停止，兩代芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲芯片上的差距。

據(jù)悉，長江存儲由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同投資建設(shè)，負(fù)責(zé)國家存儲器基地項目。

根據(jù)規(guī)劃，至2023年，基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片，并形成設(shè)計、測試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。