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[導讀]半導體產(chǎn)業(yè)景氣轉(zhuǎn)弱又出現(xiàn)新信號!韓國媒體報導,三星電子宣稱引進的EUV設(shè)備數(shù)量已經(jīng)足夠應(yīng)付現(xiàn)況,預(yù)計明年不會購買EUV(極紫外線)設(shè)備,未來若要持續(xù)引進,將會評估2020年晶圓代工和存儲器半導體部門的訂單再做決定。

半導體產(chǎn)業(yè)景氣轉(zhuǎn)弱又出現(xiàn)新信號!韓國媒體報導,三星電子宣稱引進的EUV設(shè)備數(shù)量已經(jīng)足夠應(yīng)付現(xiàn)況,預(yù)計明年不會購買EUV(極紫外線)設(shè)備,未來若要持續(xù)引進,將會評估2020年晶圓代工和存儲器半導體部門的訂單再做決定。

根據(jù)韓媒《DDaily》報導,不斷強化EUV技術(shù)的三星電子,打算透過工藝微縮發(fā)展7納米至3納米的先進制程,但考量到代工業(yè)務(wù)部門所要求的EUV設(shè)備數(shù)量,至少到明年為止,沒有必要再引進新的EUV設(shè)備。

當初三星為了在去年才啟用的最高端技術(shù)華城廠區(qū)引進EUV設(shè)備,向市占最大的EUV設(shè)備商荷蘭半導體設(shè)備公司ASML購買約10臺EUV。ASML也曾表示,今年EUV設(shè)備供應(yīng)量(包括預(yù)購在內(nèi))為18臺,加上之前業(yè)界普遍推測,明年三星電子還將進一步購買EUV設(shè)備,根據(jù)今年10月ASML的說法,明年在手訂單高達30臺。

值得注意的是,三星存儲器部門計劃引進EUV設(shè)備,但預(yù)計后年才會有量產(chǎn)計劃。熟知三星電子內(nèi)部情形的相關(guān)人士則透露,相對存儲器部分,代工部門中不需要這么多EUV設(shè)備,最多有10臺設(shè)備就已經(jīng)足夠,并在這數(shù)量范圍中循序引進設(shè)備即可。尤其是EUV工程的量產(chǎn)計劃設(shè)定在明年下半年,因此沒有馬上需要設(shè)備的必要性。

此外,近期三星內(nèi)部對存儲器半導體市場評估也越趨保守,雖然目前已經(jīng)進入旺季,但存儲器價格上漲速度已經(jīng)開始疲乏,導致需求開始被推遲。更何況,EUV設(shè)備要價不斐,一臺約2000億韓元,在市場需求明顯趨緩的狀況下,恐怕將影響三星引進設(shè)備的速度。

EUV設(shè)備目前主要客戶包括三星電子、臺積電、英特爾。過去ASML曾透露,最先購買EUV設(shè)備的企業(yè)是英特爾。但隨著英特爾延后使用EUV技術(shù),目前EUV工藝對決成為三星電子和臺積電兩足鼎立的格局。

三星電子引進EUV技術(shù)不僅打算用于代工業(yè)務(wù),也計劃應(yīng)用在存儲器上。相關(guān)人士也表示,未來EUV設(shè)備的需求會持續(xù)增加,因為若是少了EUV技術(shù),先進制程工藝微縮就會很難發(fā)展。而且不僅是代工業(yè)務(wù),以后存儲器半導體市場開始使用EUV設(shè)備的話,就會更需要EUV設(shè)備。

他也補充,在DRAM技術(shù)方面,三星電子正在進行1ynm工程.若進展到1znm階段,就能正式投入EUV技術(shù),因此存儲器先進制程并不急著應(yīng)用EUV技術(shù),但2020年需要啟動EUV產(chǎn)線的話,那時才會再引進新的設(shè)備。

臺積電在7納米工藝運用了浸潤式微影和氟化氬(ArF)的曝光技術(shù),搶先三星確保了客戶。近期為了履行高通、AMD以及NVIDIA的訂單,開始進行7納米加強版先進制程測試,同時也計劃采EUV技術(shù);而三星電子為了超越臺積電,犧牲短期客戶,搶先臺積電引進先進制程微縮的核心“EUV”,預(yù)計明年開始進入量產(chǎn)的三星、臺積電,兩公司在EUV技術(shù)競爭中會更加激烈。

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