三星如何應對明年可能出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應過剩的局面？

由于分析師對2019年全球半導體市場的預期比較悲觀，全球最大存儲芯片供應商三星電子正考慮放緩擴大生產(chǎn)設施的步伐。

在上周舉行的全球商業(yè)戰(zhàn)略會議上，三星電子“設備解決方案部門”的主要議程就是：如何應對明年可能出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應過剩的局面。當前，業(yè)界普遍預計明年的內(nèi)存芯片需求將出現(xiàn)下滑。

一位業(yè)內(nèi)人士稱：“在一場由三星電子聯(lián)席CEO、設備解決方案部門負責人金奇南(Kim Ki-nam)和三星電子海外分支機構(gòu)負責人主持的會議上，三星討論了調(diào)整DRAM和NAND閃存芯片產(chǎn)能增長步伐的問題。”

有新聞報道稱，三星計劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，使DRAM和NAND芯片產(chǎn)量漲幅分別低于20%和30%。三星在今年11月召開的第三季度財報電話會議上曾表示，今年DRAM芯片的“位增長”(Bit growth)預計將達到20%，而NAND芯片“位增長”有望達到約40%。

“位增長”是指以“位”為單位，計算內(nèi)存芯片增加的規(guī)模，這有助于計算出每一家芯片供應商的產(chǎn)能。據(jù)業(yè)內(nèi)觀察家稱，隨著“位增長”預期的降低，預計三星將保守地執(zhí)行其內(nèi)存生產(chǎn)投資計劃。

因此，三星在慶吉省平澤(Pyeongtaek)最新的園區(qū)、投資30萬億韓元建設第二條DRAM芯片生產(chǎn)線的投資計劃，在執(zhí)行方面可能要比最初計劃的更謹慎。這樣，三星可以通過限制新的供應增長，來預防內(nèi)存價格的下滑。按照原計劃，平澤第二條DRAM芯片生產(chǎn)線將于明年上半年完工。

此外，在明年可能出現(xiàn)供應過剩的局面下，預計三星還將限制其在平澤的第一條生產(chǎn)線二樓生產(chǎn)區(qū)的DRAM產(chǎn)量。一位行業(yè)高管稱：“三星原計劃在平澤DRAM生產(chǎn)線上增加4萬個晶片，如今，三星只考慮在2019年前6個月增加2萬至3萬個晶片。”

由于三星下調(diào)了對公司第四季度的盈利預期，令分析師對其2019年的表現(xiàn)感到更加悲觀。據(jù)韓國證券經(jīng)紀公司預計，由于半導體行業(yè)的季節(jié)性低迷，三星電子第四季度運營利潤將從第三季度的17.57萬億韓元降至約13萬億韓元。

據(jù)市場分析師預計，明年前6個月全球內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)需求將出現(xiàn)下滑，預計下半年將反彈。