山東天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目開工，年產(chǎn)SiC MOSFET 400萬只

2月27日，山東天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目作為濟(jì)南114個(gè)集中開工項(xiàng)目之一正式開工。

碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是濟(jì)南2019年市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目之一，據(jù)此前濟(jì)南市發(fā)改委公布的消息，該項(xiàng)目總投資65000萬元，項(xiàng)目總占用廠房面積為2400平方米，主要將建設(shè)碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊生產(chǎn)線各一條，利用廠區(qū)原有廠房的空置區(qū)域建設(shè)。

據(jù)山東天岳官方消息，本項(xiàng)目以硅烷和甲烷在氫氣和氬氣條件下制得SiC襯底外延片后，經(jīng)掩膜淀積、光刻、顯影、灰化、刻蝕和檢驗(yàn)封裝等工序，生產(chǎn)SiC MOSFET晶體管，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為400萬只/年;以碳化硅外延材料為原料，經(jīng)晶圓標(biāo)記、離子注入、廠板淀積、歐姆接觸、肖特基電極、鈍化層制備等工序，生產(chǎn)SiC功率二極管，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為1200萬只/年;以碳化硅芯片為原料，經(jīng)焊接、清洗、鋁引線鍵合灌封硅凝膠等工序，生產(chǎn)碳化硅電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為1萬只/年。