時隔五年 ARM再次向數(shù)據(jù)中心領域發(fā)起進攻

去年存儲器半導體市場迎來前所δ有的榮景，“韓國半導體聯(lián)軍”創(chuàng)下佳績，三星以壓倒性優(yōu)勢排名第一，SK海力士DRAM市占率突破3成，有預測指出，今年三星與SK海力士的市占率將進一步成長。

據(jù)《韓聯(lián)社》報導，市調(diào)公司DRAMeXchange于4日發(fā)表的數(shù)據(jù)指出，去年全球DRAM市場的銷售額達到996億5500萬美元，比前一年(717億2000萬美元)成長39%，創(chuàng)下歷史新高紀¼。

從企業(yè)別來看，三星電子的銷售額為437億4700萬美元，市占率為43.9%，維持著壓倒性的領先地λ;SK海力士也緊追在后，銷售額達294億900萬美元，市占率為29.5%。若將兩家企業(yè)一并來看，在全球DRAM市場占有率高達73.4%，這也代表著，全球DRAM的銷售額約有4分之3是由這兩家韓國企業(yè)所貢獻的。

值得注意的是，SK海力士去年第四季的市占率為31.2%，和排名第三的美國美光(23.5%%)拉大了差距。反觀三星電子第四季市占率雖然有41.3%，但比起前一年的46.0%有所下滑。

DRAMeXchange預測，今年整體市場的銷售預估值比起去年減少17.5%達822億4700萬美元，但“韓國半導體聯(lián)合軍”在存儲器市場的市占率還會進一步提升，其中三星電子和SK海力士的市占率會成長至44.9%、29.6%。

另一方面，去年全球NAND閃存市場銷售額為632億1000萬美元，首次超過600億美元，也創(chuàng)下新紀¼。三星電子的銷售額為221億900萬美元，市占率為35.0%排名低一，之后依序是東芝(19.2%)、西部數(shù)據(jù)(14.9%)、美光(12.9%)、SK海力士(10.6%)等。若將三星電子和SK海力士合并來看，市占率合計為45.6%，與前一年47.2%相比有所下降。

業(yè)內(nèi)相關(guān)人士表示，去年全球的NAND閃存市場有一半都是“韓國品牌”，多虧預先的設備投資和研究開發(fā)(R&D)的力量，預計短期內(nèi)將持續(xù)創(chuàng)造技術(shù)差距。他也補充，在SK海力士繼去年底NAND閃存專用生產(chǎn)線清州M15竣工后，接著會持續(xù)擴大投資，繼DRAM之后NAND閃存領域也有可能躋升為第2名。