聯(lián)發(fā)科：摩爾定律的極限為3nm

摩爾定律是半導(dǎo)體的經(jīng)典理論之一，提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾，他斷言“大約每兩年，晶體管密度就會增加1倍”。在今年9月份的“精尖制造日”上，Intel對外重申，摩爾定律在可觀察的未來都不會失效。同時，他們還將摩爾定律解釋為一種經(jīng)濟視角，即每兩年，單位晶體管的成本會縮減1半。

觀點出來后也得到了很多大佬的反駁，已經(jīng)明確表態(tài)的有NVIDIA CEO黃仁勛和臺積電董事長張忠謀。不過，張忠謀和黃仁勛的看法不完全一致，后者稱定律已然失效，而張老爺子的態(tài)度是，會在2025年遇到極大挑戰(zhàn)。

本月21日，在與阿里CTO王堅交流時，聯(lián)發(fā)科董事長蔡明介也亮明了自己的觀點。

據(jù)Digitimes報道，蔡明介認為，摩爾定律最多還能引領(lǐng)半導(dǎo)體界兩代，也就是7nm和5nm。到了3nm之后將遇到極大的困難和瓶頸。

資料顯示，Intel一般會選擇預(yù)研2～3代工藝，所以7nm是比較穩(wěn)健的，但5nm/3nm仍遭遇比較多的困難，比較初級。

Intel曾透露自己正解決3nm的八大難題，包括納米線晶體管、III-V材料、3D堆疊、密集內(nèi)存、密集互聯(lián)、極紫外光刻(EUV)、自旋電子學(xué)、神經(jīng)元計算等。

另外，IBM也在加速推進終極絕緣體氣隙(air gap)的開發(fā)，這是5nm之后制程節(jié)點的必備。