腹背受敵的美光“開掛”了？DRAM 有望迎來新突破？

幾年前的美光，可謂是腹背受敵，不僅在加工技術(shù)方面飽受爭議，市場銷量競爭也不及其他企業(yè)。今天，該公司雖在很多方面不敵三星，但相較SK海力士而言已經(jīng)能夠迎頭趕上。一路奮起直追的美光，在今年4月，為了應(yīng)對DRAM和新工藝技術(shù)需求的增長，開始在臺灣臺中附近的園區(qū)正式動工，打造新的無塵室來進(jìn)行內(nèi)部研發(fā)。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示:“我們相信，受人工智能、自動駕駛汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛長期趨勢的推動，內(nèi)存和存儲的長期需求前景是不可抗拒的。”“新美光憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、反應(yīng)性供應(yīng)鏈以及與全球客戶建立的良好關(guān)系，很好地利用了這些趨勢。”

臺灣美光記憶體已經(jīng)100%使用美光第一代10nm級制造技術(shù)(也稱為1X nm)生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，并將在不久的將來直接進(jìn)入第3代10nm級工藝(也稱為1Z nm)。與此同時，美光去年在臺中附近開設(shè)了一家新的測試和包裝工廠，創(chuàng)建了全球唯一的垂直集成DRAM生產(chǎn)工廠之一。

此外，美光還宣布，計劃斥資20億美元在日本廣島附近的校園新建一間潔凈室。據(jù)報道，新的生產(chǎn)能力將用于制造采用美光13納米工藝技術(shù)的DRAM。

隨著越來越難以擴(kuò)展新的制造技術(shù)(無論是在工程方面還是在財務(wù)挑戰(zhàn)方面)，與所有DRAM制造商一樣，美光將擁有多個10納米級節(jié)點(diǎn)。除了今天使用的第一代和第二代10納米級的工藝技術(shù)，鑒于現(xiàn)在面臨不同的發(fā)展階段，美光計劃引入至少四個以上為10nm級的制造工藝：1Z，1 α，1 β和1 γ (希臘γ，不是y)。

TechInsights的分析師表示，美光已經(jīng)悄然開始使用其1Xnm工藝技術(shù)的die微縮版本的1Xs，這意味著美光10nm級的制造工藝的總數(shù)將超過6種。美光本身沒有證實(shí)這一點(diǎn)，但它表示，它在所有的生產(chǎn)設(shè)施中都有研發(fā)人員，以確保最高產(chǎn)量(和其他屬性)，這可能意味著不同晶圓廠可能存在相同節(jié)點(diǎn)的變化。

目前，美光公司正在加大其用于制造各種產(chǎn)品的第二代10nm級制造工藝(即1Y nm)，該工藝用于制造該公司的各種產(chǎn)品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。