全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今日推出了兩個全新的超低功耗SRAM(超LP SRAM)系列——低功耗SRAM領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，能夠為工廠自動化(FA)、工業(yè)設(shè)備、智能電網(wǎng)等應(yīng)用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110納米制造工藝，融合了創(chuàng)新的存儲單元技術(shù)，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間。
近來，業(yè)內(nèi)對用戶系統(tǒng)安全性和可靠性的要求日漸提高，而SRAM作為存儲系統(tǒng)程序和財務(wù)交易數(shù)據(jù)等重要信息的載體，必須具備高水平的可靠性。因此，如何減少因阿爾法輻射和宇宙中子輻射造成的軟失效(注釋1)成為了一項重點課題。通常情況下，解決這一問題的處理方式是在SRAM或用戶系統(tǒng)中加入內(nèi)部糾錯(ECC)電路。但ECC電路的糾錯能力具有一定的局限性，例如：可能無法同時糾正多個位元的錯誤。
瑞薩的超LP SRAM的存儲器單元采用其獨有技術(shù)，抗軟失效能力(注釋2)是傳統(tǒng)全CMOS型存儲單元(注釋3)的500多倍，使其成為了對可靠性具有高要求的應(yīng)用領(lǐng)域的理想之選，包括工廠自動化、測量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備、工業(yè)設(shè)備以及消費電子設(shè)備、辦公設(shè)備和通訊設(shè)備等諸多其他應(yīng)用領(lǐng)域。
全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：
· (1) 采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術(shù)，大幅提升了抗軟失效能力，實現(xiàn)了更良好的可靠性
在瑞薩超LP SRAM的結(jié)構(gòu)方面，存儲單元中的每個存儲節(jié)點(注釋5)都結(jié)合了堆疊電容(注釋4)技術(shù)，從根本上預(yù)防了軟失效的出現(xiàn)(注釋6)。此外，每個SRAM單元的負(fù)載晶體管(P溝道)為多晶硅薄膜晶體管(TFT)(注釋7)，堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管，這樣可確保存儲區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管，并從理論上杜絕閂鎖效應(yīng)(注釋8)。因此，對于需要嚴(yán)格保證高水平可靠性的應(yīng)用環(huán)境(如：工廠自動化、測量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備等)而言，超LP SRAM可謂理想之選。
· (2) 待機電流比上一代產(chǎn)品降低了50%以上，有助于延長備用電池使用壽命
全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb產(chǎn)品的待機電流僅為0.5 µA(典型值)，32 Mb產(chǎn)品(注釋9)的待機電流僅為1 µA(典型值)。新產(chǎn)品的電流消耗水平比瑞薩先前推出的同類SRAM產(chǎn)品(注釋10)降低了50%以上，有效延長了備用電池的使用壽命。保存數(shù)據(jù)時的最低電源電壓為1.5 V，低于先前瑞薩同類產(chǎn)品的2.0 V。
· (3) 封裝選項
16 Mb RMLV1616A系列提供三個封裝選項：48球FBGA、48管腳TSOP(I)及52管腳µTSOP (II)，客戶可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來選擇最適合的封裝方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引腳的FBGA封裝。
有關(guān)全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要規(guī)格，請參見單獨的說明頁(PDF： 85 KB)。
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