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[導(dǎo)讀]快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。

快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示,QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲(chǔ)存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍,容量升級(jí)、價(jià)格親民,這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價(jià)大容量的時(shí)代!

潘健成指出,各國(guó)際快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)制造原廠陸續(xù)突破3D堆棧技術(shù)良率瓶頸后,技術(shù)演進(jìn)正快速發(fā)展,次世代規(guī)格QLC的3D NAND Flash顆粒如今較預(yù)期提前一個(gè)季度于近期推出,該技術(shù)進(jìn)程速度令業(yè)界專家都跌破眼鏡,亦為SSD擴(kuò)大滲透率帶來(lái)新動(dòng)能。

由于群聯(lián)領(lǐng)先同業(yè)在今年上半年正式取得搭載QLC的一系列主控芯片測(cè)試驗(yàn)證、以及推出最新版之糾錯(cuò)保護(hù)機(jī)制,而今水到渠成,因應(yīng)客戶需求甫于近日出貨搭載64層QLC之SSD控制芯片PS3111-S11T解決方案。

最新64層QLC之3D NAND Flash單顆容量即可達(dá)128GB,搭載群聯(lián)PS3111-S11T解決方案應(yīng)用于SSD上的容量從258GB起跳,并搭配群聯(lián)電子自有第4代Smart ECC糾錯(cuò)機(jī)制套件,讓大容量的QLC優(yōu)勢(shì)亦能兼具速度效能,不論是連續(xù)讀取或是寫入之效能皆能維持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水平。

至于隨機(jī)讀取/寫入(IOPS)速度亦可維持在33萬(wàn)~61萬(wàn)次,以及85萬(wàn)~88萬(wàn)次高效能,終端應(yīng)用也將因?yàn)楫a(chǎn)品屬性符合低價(jià)大容量,將適合通路客戶拓展互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)業(yè)、中小型企業(yè)等更多元?jiǎng)?chuàng)新的應(yīng)用市場(chǎng)布局。

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