去年11月,高通聯(lián)合三星正式發(fā)布了全新一代的旗艦處理器驍龍835,當時已知其首發(fā)三星10nm FinFET工藝,還支持QC4.0快充標準。同時高通方面表示,驍龍835將于今年上半年開始正式上市。在此之前,其還將亮相本周舉行的CES2017。
日前,外媒Videocardz曝光了這一處理器的詳細規(guī)格的PPT,基本上對驍龍835我們已經知道的非常清楚了。
首先,驍龍835搭載了全新的Kryo 280架構八核心設計,四個大核心主打性能,最高主頻為2.45GHz,四個小核心主打續(xù)航,最高主頻為1.9GHz。PPT顯示,驍龍835在app啟動時間、網頁瀏覽和VR方面提升20%。
另外,驍龍835還帶來X16 LTE基帶,并整合Adreno 540 GPU、Hexagon 690 DSP等。其中,GPU方面提供了DX12、OpenGL ES和Vulkan應用的前沿性的3D畫面支持。DPU/VPU方面其將支持10位4K視頻。
上面說到了驍龍835將首次采用10nm制程,三星第二代FinFET工藝,尺寸和體積相比驍龍820更小,并將帶來續(xù)航方面的提升。
另外,其相比驍龍801將在功耗上減少50%,相比驍龍810而言也提升顯著。
事實上,運行該處理器的測試機型的跑分之前也已在網絡上曝光。從測試成績來看,其多核心相比目前驍龍820成績提升較為顯著,而單核心分數則提升不大。當然,由于是測試機型,不排除其還有提升空間。
預計搭載驍龍835的今年首批旗艦,包括三星GALAXY S8、LG G6、小米6、HTC 11等。其中,三星S8可能推遲至4月發(fā)布,LG G6、HTC 11將有望在MWC 2017上亮相。你對高通驍龍835還滿意嗎?