據(jù)報導(dǎo)，英特爾今年底就將開始導(dǎo)入7納米晶圓制程，時間提前于臺積電與三星等競爭者，鞏固其半導(dǎo)體龍頭的位置。日前，英特爾在盈余電話會議上宣布，為了進一步探索芯片生產(chǎn)工藝，公司將在今年建立一座7nm試驗工廠。
臺積電與三星今年均在努力提高10納米制程良率，不過一般認(rèn)為10納米只是過渡，7納米才是主戰(zhàn)場，包含AMD、Nvidia等大客戶此前均曾暗示跳過10納米、直接晉升7納米，而臺積電、三星還要等到2018年才會開始試產(chǎn)7納米制程。
英特爾擁有最先進的晶圓廠，長久以來，英特爾一直都是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)頭羊，直至近幾年才被亞洲后輩超前，但無論如何姜還是老的辣，看來英特爾已準(zhǔn)備好搶回領(lǐng)先位置。
不過制程微縮越精細(xì)越難生產(chǎn)，因此7納米初期的良率應(yīng)該不會太好，預(yù)料英特爾剛開始只會少批量試作樣本，借以了解制程瓶頸，并作為改進良率的依據(jù)。英特爾目前也還沒公布7納米產(chǎn)品的時間表，實際量產(chǎn)還有待后續(xù)追蹤。
目前英特爾已經(jīng)不再憂慮于在每一代芯片當(dāng)中把晶體管數(shù)量翻倍了，他們現(xiàn)在對于摩爾定律的詮釋更符合每晶體管成本相關(guān)的經(jīng)濟學(xué)，它可在產(chǎn)量提升之后降低。對于摩爾定律而言，這也是非常重要的一部分。
英特爾表示，他們將視圖憑借著7nm工藝回到2年生產(chǎn)周期，同時使用更智能的芯片設(shè)計。7nm工藝將為芯片帶來更大的設(shè)計變化，使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進行芯片生產(chǎn)，在提高性能速度的同時實現(xiàn)更長續(xù)航。
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