三星第二代10nm年底量產(chǎn) 未來將增加 8nm和 6nm制程

三星電子野心勃勃，全力搶攻晶圓代工業(yè)務(wù)，該公司宣布第二、三代 10 納米制程量產(chǎn)時間，并表示未來將增加 8 納米和 6 納米制程，嗆聲臺積電意味濃厚。

三星電子 15 日新聞稿稱，三星電子 10 納米 FinFET 制程良率穩(wěn)定，能及時滿足客戶需求，增產(chǎn)情況順利。三星第一代 10 納米制程 LPE(Low Power Early、10LPE)，于去年 10 月量產(chǎn)，已經(jīng)出貨 7 萬組矽晶圓。

三星電子晶圓代工主管 Jongshik Yoon 說，10LPE 之后，第二代 10 納米制程 LPP“10LPP”將在今年底量產(chǎn)。第三代 10 納米制程 LPU“10LPU”明年量產(chǎn)，將持續(xù)提供業(yè)界最具競爭力的制程技術(shù)。

與此同時，三星表示，發(fā)展路徑圖增加了 8 納米和 6 納米制程，效能和功耗都表現(xiàn)更佳，承繼 10 納米和 7 納米的創(chuàng)新技術(shù)，更具成本競爭力。三星將在 5 月 24 日召開“美國三星晶圓代工論壇”(US Samsung Foundry Forum)，屆時會提供更多細節(jié)。