在看國產(chǎn)芯片崛起最新相關(guān)消息之前先來深入了解一下芯片的構(gòu)造。指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設(shè)備的一部分。
從1930年代開始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實驗室的WilliamShockley認為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在1940到1950年代被系統(tǒng)的研究。今天，盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管，激光，太陽能電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。
隨著市場需求的攀升，存儲芯片影響力不斷增強。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)已有四家公司計劃發(fā)力存儲器市場。隨著這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業(yè)春天有望加速到來。
全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設(shè)備等應(yīng)用的發(fā)展不斷豐富著我們的物質(zhì)生活和精神生活，這些應(yīng)用的正常運行都離不開半導(dǎo)體數(shù)據(jù)存儲芯片。近年來，隨著市場需求的猛增，存儲芯片影響力不斷增強。
市場人士認為，考慮到投資的生產(chǎn)收益減少，加上芯片制造商謹慎管理產(chǎn)能，記憶體芯片產(chǎn)業(yè)的有利形勢或?qū)⒛茇灤?017年全年。
反觀國內(nèi)，我國作為全球制造業(yè)基地，存儲器消耗量驚人。據(jù)統(tǒng)計，中國存儲器消耗量占全球總消耗量的50%以上，但國產(chǎn)存儲產(chǎn)品卻屈指可數(shù)。此外，我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，開展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。
2014年6月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度。在此背景下，為推動自主存儲芯片技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，中國科學(xué)院微電子研究所與長江存儲科技有限責(zé)任公司建立戰(zhàn)略合作，集中開展3DNAND領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的全方位攻關(guān)。
不止于此，據(jù)目前的報道，國內(nèi)已有四家公司欲做存儲器，分別是武漢長江存儲，投資240億美元，一期10萬片，目標(biāo)是自己研發(fā)的3DNAND閃存;另一家是泉州晉華，投資約60億美元，做利基型DRAM，技術(shù)來源于臺聯(lián)華(UMC);還有一家是合肥智聚，投資80億美元，于2016年6月已經(jīng)開工，計劃今年年底左右進入設(shè)備安裝階段;最后一家是南京紫光，投資300億美元，具體計劃尚未公布。
隨著這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業(yè)春天有望加速到來。因此，中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展必定會跨入全球存儲器的行列之中。至于未來能有多大作為，要看自身的努力程度和機遇，但是必須要在研發(fā)方面有所突破，或者在存儲器生產(chǎn)線的運營中能夠掌握它的獨特規(guī)律。
可以說，中國半導(dǎo)體業(yè)用存儲器作為IDM模式的突破口，是個新的嘗試。這一新嘗試需要的不僅是信心，還有足夠的耐心。要知道，中芯國際經(jīng)過15年的歷程，才剛達到年銷售額30億美元，由此推算，到2025年時再來回顧中國存儲器業(yè)可能也不遲。
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