供不應(yīng)求 存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格依然在上漲

存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器，如內(nèi)存條、TF卡等。

隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。

南亞科總經(jīng)理李培瑛說，第2季DRAM市場(chǎng)狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對(duì)第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照

需求增加，供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現(xiàn)罕見同時(shí)供應(yīng)吃緊的情況。

隨著時(shí)序逐漸步入傳統(tǒng)旺季，加上短時(shí)間新產(chǎn)能增加有限下，包括硅晶圓等半導(dǎo)體產(chǎn)品下半年供應(yīng)吃緊情況依然無法舒緩，缺貨情況甚至可能更加嚴(yán)重，各產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)看漲。

DRAM廠南亞科總經(jīng)理李培瑛即說，第2季DRAM市場(chǎng)狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對(duì)第3季并不悲觀。

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，下半年全球服務(wù)器出貨量可望成長(zhǎng)約1成，短期內(nèi)存供貨吃緊情況難解，預(yù)估第3季服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格應(yīng)可較第2季再漲3%至8%。

內(nèi)存控制芯片廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成也預(yù)期，下半年隨著蘋果(Apple)新機(jī)狀況趨于明朗，非蘋陣營(yíng)手機(jī)廠備貨需求涌現(xiàn)，NAND Flash需求將會(huì)1個(gè)月比1個(gè)月強(qiáng)，可能會(huì)缺貨到年底。

至于NOR Flash，華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞表示，NORFlash供不應(yīng)求，估計(jì)缺貨情況將延續(xù)到明年中，產(chǎn)品價(jià)格有上漲趨勢(shì)。 集邦科技預(yù)估，第3季NOR Flash產(chǎn)品價(jià)格將上漲2成水平。

全球第3大半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭說，目前包括6吋、8吋與12吋硅晶圓市場(chǎng)需求都非常好，其中，8吋與12吋硅晶圓訂單能見度已達(dá)明年。

徐秀蘭認(rèn)為，這次半導(dǎo)體硅晶圓景氣應(yīng)是10年1次的超級(jí)大循環(huán)，她預(yù)期，現(xiàn)在供需還不到最緊的時(shí)候，最緊的時(shí)間應(yīng)落在2019年。

漢磊董事長(zhǎng)徐建華說，磊晶產(chǎn)能同樣供不應(yīng)求，隨著硅晶圓漲價(jià)，磊晶產(chǎn)品也將調(diào)漲售價(jià)，反應(yīng)成本增加。