NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場(chǎng)

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用、第五代移動(dòng)通訊(5G )擴(kuò)增實(shí)境(AR)/虛擬實(shí)境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以?xún)?chǔ)存型(NAND Flash)為主要爭(zhēng)戰(zhàn)焦點(diǎn)。

SEMI表示，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)新高，主要是記憶體如DRAM和NAND Flash價(jià)格大漲，以及感測(cè)器、光電和分離式元件需求強(qiáng)勁帶動(dòng)。預(yù)期這些應(yīng)用今年仍會(huì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)。

此外，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值也可望持續(xù)創(chuàng)高，主因存儲(chǔ)器和晶圓代工廠持續(xù)擴(kuò)建。

SEMI表示，物聯(lián)網(wǎng)、 車(chē)用、5G、AR/VR及AI將是中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求持續(xù)增加，DRAM位元需求成長(zhǎng)預(yù)估為30%，NAND Flash成長(zhǎng)45%。不過(guò)，NAND Flash產(chǎn)能增幅會(huì)更大、高達(dá)48%;DRAM產(chǎn)能也有較明顯的增長(zhǎng)，增幅為10%，其余如微機(jī)電元件和電源管理IC，產(chǎn)能增幅各8%、5%。

SEMI昨天更新全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告，去年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出上修至570億美元，年增41%，創(chuàng)歷史新高;今年將再創(chuàng)新高、達(dá)630億美元，年增11%，其中韓國(guó)三星和SK海力士，以及中國(guó)大陸長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長(zhǎng)鑫增建計(jì)劃是矚目的焦點(diǎn)。