手機存儲容量需求大增，為3D NAND儲存鋪平道路

以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路…

智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗，除了提升裝置的處理性能以外，還需要更高容量的儲存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴增實境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機已無法滿足當(dāng)前的移動應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲器(flash)的進展鋪路。

Western Digital (WD)最近推出采用64層堆疊的3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃存儲器(EFD)系列，可望讓智能手機使用者能夠充份體驗當(dāng)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用。

隨著智能手機用戶數(shù)持續(xù)增加，各種移動應(yīng)用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內(nèi)容，以及照片和視訊擷取產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量正如雪球般地越滾越大，再加上5G、AI以及AR/VR等數(shù)據(jù)密集型的新興應(yīng)用出現(xiàn)，不斷為移動裝置帶來龐大的數(shù)據(jù)儲存需求。

“3D NAND是快閃存儲器領(lǐng)域的重大進步，可為邊緣裝置帶來巨大的儲存容量與成長潛力。”WD嵌入式與整合解決方案移動和運算產(chǎn)品線市場管理總監(jiān)包繼紅指出，智能手機一直使用嵌入式快閃存儲器儲存與執(zhí)行應(yīng)用程式，但隨著平面2D NAND技術(shù)逐漸達到微縮極限，越來越難在儲存容量及其效能方面取得突破。

如今，采用創(chuàng)新制程架構(gòu)的3D NAND技術(shù)出現(xiàn)，以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰(zhàn)，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外，在當(dāng)今約有高達96%的數(shù)據(jù)量都必須在邊緣處理的環(huán)境下，為移動裝置采用3D NAND嵌入式快閃存儲器已是大勢所趨。

包繼紅介紹，WD最新的iNAND系列采用X3 3D NAND與SmartSLC技術(shù)，可為數(shù)據(jù)密集型的新興移動應(yīng)用打造最佳儲存環(huán)境。iNAND 8521專為支援5G網(wǎng)路的旗艦移動裝置設(shè)計，iNAND 7550則瞄準主流的智能手機。

iNAND 8521嵌入式快閃存儲器采用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技術(shù)，相較于為旗艦機推出的前一代產(chǎn)品，其連續(xù)寫入速度更高2倍，隨機寫入速度更高達10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回應(yīng)使用者對于AR/VR游戲或下載HD影片等應(yīng)用效能需求。此外，更高數(shù)據(jù)傳輸速率，讓移動用戶能利用Wi-Fi或未來的5G網(wǎng)絡(luò)提升效能與體驗。

iNAND 7550嵌入式快閃存儲器能讓移動裝置制造商生產(chǎn)符合成本效益的智能手機與運算裝置，提供充足的儲存空間，滿足消費者持續(xù)增加的數(shù)據(jù)需求以及快速的app體驗。iNAND 7550支持e.MMC 5.1規(guī)格，可實現(xiàn)最高260MB/s的連續(xù)寫入效能，隨機讀/寫效能分別為20K IOPS和15K IOPS。

3D NAND采用創(chuàng)新制程架構(gòu)，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性。