[導讀]為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層，這是接下來一段時間內的市場主流。
為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層，這是接下來一段時間內的市場主流。
2018 年底，SK Hynix(SK海力士)發(fā)表 96 層堆棧快閃存儲器，是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb(64GB)產品，還特地取了個有意思的 4D NAND 名詞(本質和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 當時曾預告，在 2019 年也就是今年的某個時間點，自家 96 層堆棧產品技術發(fā)展將進入另一個階段，容量會倍增至 1Tb(128GB)。
SK Hynix 剛實現了這點，官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經備妥，正½續(xù)出貨提供給予主要的控制器、固態(tài)硬盤制造商。不過首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型，基于 4D NAND 架構設計具有 4 個平面(Plane)、區(qū)塊容量 64KB，這數量規(guī)劃 2 倍于典型快閃存儲器(2 plane、32KB 之類規(guī)格)，SK Hynix 強調這是確保性能的關鍵。
此外，SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開發(fā)，計劃在 2020 年推出自有品牌企業(yè)級固態(tài)硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲存密度，除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標，更希望能夠吸引企業(yè)舍硬盤就固態(tài)硬盤。
采用96層QLC顆粒的第一批終端應用產品應該不會是固態(tài)硬盤，而是USB隨身碟這類對可靠度要求較低的應用。
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