at91的remap經(jīng)歷（N次Flash熱插拔經(jīng)歷）

小弟用的是AT91R40008，內(nèi)部有256KB的SRAM，以前沒有用過帶REMAP功能的ARM，這是第一次。

一開始,忘了設(shè)置FLASH remap之后的基址，remap之后，內(nèi)部的SRAM再也不能用了，還好Flash是PLCC封裝的，帶電熱插拔（小弟的電路板是自己設(shè)計(jì)的自己焊的平時(shí)跑著都不放心，熱插拔的時(shí)候心里怦怦直跳）。

第二次，事先設(shè)置好了FLASH remap之后的地址。沒想到，remap之后，還是當(dāng)機(jī)。這是恍然大悟，remap之后PC指向了SRAM，難怪會跑飛。不知為什么，這次加載到SRAM中的程序仍然運(yùn)行不起來，不想那么多了先把remap搞定，再次熱插拔。

為了保證remap之后，程序仍然能夠正常運(yùn)行，看來要把程序?qū)崿F(xiàn)復(fù)制到SRAM中，不過感覺這種辦法好苯。于是在網(wǎng)上找呀找，終于找到了另一種remap方法，如下：
InitTableEBI:  
              dcd          EBI_CSR_0    
              dcd          EBI_CSR_1    
              dcd          EBI_CSR_2    
              dcd          EBI_CSR_3    
              dcd          EBI_CSR_4    
              dcd          EBI_CSR_5    
              dcd          EBI_CSR_6    
              dcd          EBI_CSR_7    
              dcd          0x00000001  /* REMAP command */  
              dcd          0x00000006  /* 6 memory regions, standard read */  
PtEBIBase:  
              dcd          EBI_BASE    /* EBI Base Address */  
PtInitTableEBI DCD InitTableEBI
PtInitRemap    DCD InitRemap
              ldr  r10 , PtInitTableEBI  
              mov  r10 , r10 , LSL  #12  
              mov  r10 , r10 , LSR  #12

R10的高12位必須清0，因?yàn)殒溄邮沁\(yùn)行域地址是FLASH remap之后的地址，而這時(shí)實(shí)際運(yùn)行在remap之前的地址處。
             ldr   r12,addr_after_remap
             ldmia   r10!, {r0-r9,r11}         
             stmia   r11!, {r0-r9}    /* 拷貝片選寄存器映像到存儲控制器和命令remap */
             mov pc, r12

原理就是利用ARM流水線，最后一條指令在上一條指令之前完成，具體原理我也不清楚，查了一些資料都沒有解釋，不知哪位大蝦能說一說。不過在remap之前加載絕對地址時(shí)要注意絕對地址和實(shí)際地址不一樣呦。
事實(shí)上，通過上面的方法就可以實(shí)現(xiàn)remap了，不過小弟寫程序太馬虎了，又經(jīng)歷了幾次熱插拔才成功（不過我對我的板子越來越有信心了，看來那種熱插拔BIOS的言論也是危言聳聽）：）。