意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽能解決方案

 21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)?strong>太陽能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。

意法半導(dǎo)體已于近日在美國佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二極管。該產(chǎn)品可取代DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器所用的普通二極管，把太陽能光伏板模塊的低壓輸出電能轉(zhuǎn)換成高質(zhì)量的電網(wǎng)電壓AC電能。

作為太陽能發(fā)電用二極管的基本材料，碳化硅二極管的各項技術(shù)指標(biāo)均優(yōu)于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術(shù)。碳化硅二極管導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)換速度非?？欤覜]有普通雙極二極管技術(shù)開關(guān)時的反向恢復(fù)電流。在消除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后，碳化硅二極管的能耗降低70%，能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持高能效，并提高設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)工作頻率的靈活性。

意法半導(dǎo)體的1200V碳化硅二極管試驗證明，即便負(fù)載和開關(guān)頻率很高，逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的額定生命周期內(nèi)，2%的能效改進(jìn)可讓家庭太陽能發(fā)電系統(tǒng)和大功率發(fā)電站節(jié)省數(shù)兆瓦小時的寶貴電能。

意法半導(dǎo)體還發(fā)布了碳化硅MOSFET項目的最新進(jìn)展。意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET將是世界首批商用碳化硅MOSFET。因為有諸多優(yōu)點，預(yù)計將會取代太陽能逆變器中的高壓硅絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)。 除了比IGBT降低50%的能耗外，碳化硅MOSFET無需特殊的驅(qū)動電路，且工作頻率更高，這讓設(shè)計人員能夠盡可能減少電源元器件數(shù)量，降低電源成本和尺寸，并提高能效。

碳化硅MOSFET和二極管的其它應(yīng)用包括計算機房和數(shù)據(jù)中心用的大型電源和電動汽車的馬達(dá)驅(qū)動電子系統(tǒng)。