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[導(dǎo)讀]全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長32.5%之后,一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點(diǎn)是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟,很難再有兩位數(shù)以上的增長。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù),2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長達(dá)9.9%,達(dá)到3358億美元,連續(xù)兩年刷新歷史

全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長32.5%之后,一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點(diǎn)是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟,很難再有兩位數(shù)以上的增長。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù),2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長達(dá)9.9%,達(dá)到3358億美元,連續(xù)兩年刷新歷史最高紀(jì)錄,讓業(yè)界始料未及。2014年增幅最大的是美洲,增長12.7%;其次是亞太地區(qū),增長11.4%;第三是歐洲,增長7.4%。

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。從SIA公布的2014年銷售額可觀的產(chǎn)品看,存儲(chǔ)器產(chǎn)品的銷售額2014年總計(jì)增長18.2%,達(dá)到792億美元。其中增長率最高的產(chǎn)品是DRAM,較上年增長34.7%。另外,功率晶體管增長16.1%,達(dá)到119億美元;分立器件增長10.8%,達(dá)到202億美元;模擬器件增長10.6%,達(dá)到444億美元。

定律還能走多遠(yuǎn)?

主流觀點(diǎn)是產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點(diǎn)時(shí),每個(gè)晶體管的成本不下降,反而上升。

英特爾對(duì)于產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)主要有3個(gè)方面:一是90納米制程時(shí)的SiGe形變硅技術(shù),二是45納米制程的高k金屬柵(HKMG)技術(shù),三是22納米制程時(shí)的3D finFET技術(shù)。

眾所周知,推動(dòng)尺寸縮小的根本原因是進(jìn)到下一代工藝制程節(jié)點(diǎn)時(shí),它們的晶體管制造成本能持續(xù)減少近50%(在功耗幾乎不變的條件下)。但是當(dāng)尺寸縮小到28納米時(shí)出現(xiàn)了不同聲音,業(yè)界的主流觀點(diǎn)認(rèn)為產(chǎn)業(yè)開始呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點(diǎn),由此每個(gè)晶體管的成本沒有下降,反而上升。由于工藝制程及芯片制造商的不同,對(duì)于28納米時(shí)晶體管成本上升的看法并非一致,如英特爾就認(rèn)為晶體管成本仍能持續(xù)地下降。

但是定律還能走多遠(yuǎn)的問題已經(jīng)提上議程。到目前為止,由于EUV光刻設(shè)備的一再推遲,業(yè)界盡可能地把193納米浸液式光刻技術(shù)發(fā)揮至極限。至20納米制程時(shí),傳統(tǒng)的光學(xué)光刻已達(dá)極限,必須采用兩次圖形曝光技術(shù)的輔助,導(dǎo)致光刻制造成本急速上升。原本以為至14納米制程節(jié)點(diǎn)時(shí),光學(xué)方法的尺寸縮小將達(dá)盡頭,但是業(yè)界沒有喪失信心而越過了它。如今來看,產(chǎn)業(yè)界越過10納米已無大的障礙,至多增至3次,甚至4次圖形曝光技術(shù)。

英特爾的YanBorodovsky提出報(bào)告認(rèn)為,采用圖形間距的分隔技術(shù)(多次圖形曝光技術(shù))可能延伸摩爾定律至5納米,并認(rèn)為英特爾在圖形尺寸縮小方面已能彌補(bǔ)光刻成本的增加。另外,在2015年SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)年會(huì)上,ASML稱臺(tái)積電已在它的NXE 3300B EUV光刻設(shè)備上單天曝光超過1000個(gè)硅片。這預(yù)示著EUV光刻機(jī)有可能很快步入量產(chǎn)應(yīng)用,即光源功率超過90瓦在24小時(shí)內(nèi)曝光超過1022硅片。雖然EUV光刻技術(shù)在不斷進(jìn)步,但是仍有光源、光刻膠及掩膜等問題。

三大巨頭工藝制程競賽升級(jí)

英特爾、三星及臺(tái)積電在工藝制程競賽中呈現(xiàn)勢均力敵狀態(tài)。

縱觀全球三大巨頭,英特爾、三星及臺(tái)積電在尺寸縮小競賽中不干示弱。應(yīng)該承認(rèn)英特爾自22納米finFET開始暫時(shí)領(lǐng)先,目前它已是14納米的第二代finFET技術(shù)。

臺(tái)積電則是走了一步獨(dú)特的險(xiǎn)棋,它由20納米制程先過渡到16納米制程,然后一步躍至10納米。目前關(guān)鍵在于它的16納米finFET制程成本能否具有優(yōu)勢。根據(jù)業(yè)界消息,臺(tái)積電的中科晶圓廠在2018年年底月產(chǎn)能將達(dá)到9萬片,采用10納米節(jié)點(diǎn)或更先進(jìn)工藝技術(shù)。

三星讓業(yè)界刮目相看,出人意料地提前過了14納米finFET關(guān)。在今年ISSCC會(huì)上,三星已搶在英特爾之前,展示了全球首次的10納米finFET制程。三星今年還推出了14納米的Exynos7420處理器。蘋果計(jì)劃在它的Mac筆電上用自己設(shè)計(jì)的A10x處理器,A10x將采用10納米finFET制程,預(yù)期能在2016年量產(chǎn),可能由三星100%接收訂單。

未來的10納米工藝也會(huì)運(yùn)用到DRAM和3D V-NAND芯片上,三星不會(huì)放棄任何在移動(dòng)領(lǐng)域做存儲(chǔ)霸主的機(jī)會(huì)。三星表示,在2016或2017年之前暫時(shí)可能不會(huì)量產(chǎn)10nm工藝。也就是說,首款采用14nm芯片Exynos的智能手機(jī)Galaxy S6,在先進(jìn)工藝方面的優(yōu)勢可能會(huì)維持兩年。為此,三星投資136億美元的Line 17將于今年6月開工。

另外三星在今年ISSCC會(huì)上還曝出驚人消息,它確認(rèn)開始3.2nm FinFET工藝的研發(fā),通過所謂的EUV遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)、四次圖形曝光技術(shù)和獨(dú)家途徑,實(shí)現(xiàn)工藝更細(xì)微化。三星高調(diào)指出,它將繼續(xù)推進(jìn)至5nm工藝制程,因?yàn)樗麄冋J(rèn)為“根本沒有困難”,而且進(jìn)一步微細(xì)化也有可能很快實(shí)現(xiàn)。

不管如何,英特爾、三星及臺(tái)積電在工藝制程競賽中是一浪高過一浪,目前的態(tài)勢是勢均力敵,都聲稱在2017年時(shí)能進(jìn)入10納米制程的量產(chǎn)。而對(duì)于7納米制程,目前具體的工藝技術(shù)路線每家企業(yè)尚不好回答。

未來增長持續(xù)強(qiáng)勁

未來全球半導(dǎo)體市場的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無線連接。

 

盡管摩爾定律逼近極限,近年來產(chǎn)業(yè)增長的主要推手,如智能手機(jī)及平板電腦的市場需求也顯乏力,但全球半導(dǎo)體業(yè)增長態(tài)勢仍是持續(xù)強(qiáng)勁,未來市場的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無線連接。

從投資角度來看,據(jù)VLSI的最新預(yù)測,全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資2015年預(yù)計(jì)達(dá)737億美元,同比增長3.7%。而且投資的集中度再次提高,排在前7位的占比達(dá)71%,相比2010年僅56%。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估,在2009年~2019年間,受益于物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無線裝置分享數(shù)據(jù),全球IC的年均復(fù)合增長率可達(dá)4.1%,并預(yù)測2015年全球半導(dǎo)體市場將增長3.4%。

“數(shù)字革命才剛剛開始,未來5年要比過去的這40年還要多7~8倍。”未來5年到底會(huì)有什么巨大的革命發(fā)生?一是云和大數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存,跟它所帶來的數(shù)據(jù)挖掘和理解,將帶來一個(gè)巨大的革命。二是物聯(lián)網(wǎng),萬物互聯(lián)。未來5年,PC、手機(jī)、平板、可穿戴設(shè)備以及聯(lián)網(wǎng)的電視、汽車等,整個(gè)加起來將有400億臺(tái)設(shè)備。

半導(dǎo)體教父張忠謀認(rèn)為,半導(dǎo)體業(yè)如能掌握以下3個(gè)關(guān)鍵技術(shù),將可以抓住物聯(lián)網(wǎng)市場。首先是先進(jìn)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)。由于物聯(lián)網(wǎng)比手機(jī)更強(qiáng)調(diào)輕薄短小,因此需要將不同制程和功能的晶片,利用堆疊的方式全部封裝在一起,縮小體積。因此能提供完整系統(tǒng)封裝和系統(tǒng)模組整合能力的封測廠商,可望大大受惠。其次,穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品需要更低的耗電量,功耗必須是智能手機(jī)的1/10,且最好一周只要充一次電,所以超低功耗技術(shù)要努力開發(fā)。再次,搭配健康管理、居家照護(hù)、安全監(jiān)控、汽車聯(lián)網(wǎng)等情境,各式各樣感測器應(yīng)用普遍,用來測量人體溫度、血壓、脈搏,感測環(huán)境溫濕度或車輛間安全距離等,促進(jìn)感測器相關(guān)的技術(shù)以及制程開發(fā)。

 

另外,在物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈中,最賺錢的不一定是半導(dǎo)體公司,而可能是能管理整個(gè)生態(tài)系的公司,包括Google、Amazon、Apple、騰訊、阿里巴巴、華為、思科等,或者是創(chuàng)新商業(yè)模式的產(chǎn)業(yè)紅人。

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