三極管的開關(guān)特性
在脈沖與數(shù)字電路中,三極管作為最基本的開關(guān)元件得到了普遍的應(yīng)用。三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí),其UCES≈0,相當(dāng)于開關(guān)的接通狀態(tài);工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí),IC≈0,相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài),因此,三極管可當(dāng)做開關(guān)器件使用。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(Fjeld Effect Transistor簡(jiǎn)稱FET )是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件,故因此而得名。場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導(dǎo)電,故又稱為單極型晶體管。與雙極型晶體三極管相比,它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、功耗小、制造工藝簡(jiǎn)單和便于集成化等優(yōu)點(diǎn)。
場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管IGFET,后者性能更為優(yōu)越,發(fā)展迅速,應(yīng)用廣泛。圖Z0121 為場(chǎng)效應(yīng)管的類型及圖形、符號(hào)。
一、結(jié)構(gòu)與分類
圖 Z0122為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖和它的圖形、符號(hào)。它是在同一塊N型硅片的兩側(cè)分別制作摻雜濃度較高的P型區(qū)(用P+表示),形成兩個(gè)對(duì)稱的PN結(jié),將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱為柵極(g),在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱為源極(s)和漏極(d)。在形成PN結(jié)過(guò)程中,由于P+區(qū)是重?fù)诫s區(qū),所以N一區(qū)側(cè)的空間電荷層寬度遠(yuǎn)大
二、工作原理
N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理完全相同,只是偏置電壓的極性和載流子的類型不同而已。下面以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來(lái)分析其工作原理。電路如圖Z0123所示。由于柵源間加反向電壓,所以兩側(cè)PN結(jié)均處于反向偏置,柵源電流幾乎為零。漏源之間加正向電壓使N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā),經(jīng)過(guò)溝道到達(dá)漏極形成漏極電流ID。
1.柵源電壓UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響(設(shè)UDS=0)
在圖Z0123所示電路中,UGS <0,兩個(gè)PN結(jié)處于反向偏置,耗盡層有一定寬度,ID=0。若|UGS| 增大,耗盡層變寬,溝道被壓縮,截面積減小,溝道電阻增大;若|UGS| 減小,耗盡層變窄,溝道變寬,電阻減小。這表明UGS控制著漏源之間的導(dǎo)電溝道。當(dāng)UGS負(fù)值增加到某一數(shù)值VP時(shí),兩變寬,電阻減小。這邊名UGS控制著漏源之間的導(dǎo)電溝道。當(dāng)UGS負(fù)值增加到某一數(shù)值VP時(shí),兩邊耗盡層合攏,整個(gè)溝道被耗盡層完全夾斷。(VP稱為夾斷電壓)此時(shí),漏源之間的電阻趨于無(wú)窮大。管子處于截止?fàn)顟B(tài),ID=0。
2.漏源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的影響(設(shè)UGS=0)
當(dāng)UGS=0時(shí),顯然ID=0;當(dāng)UDS>0且尚小對(duì),P+N結(jié)因加反向電壓,使耗盡層具有一定寬度,但寬度上下不均勻,這是由于漏源之間的導(dǎo)電溝道具有一定電阻,因而漏源電壓UDS沿溝道遞降,造成漏端電位高于源端電位,使近漏端PN結(jié)上的反向偏壓大于近源端,因而近漏端耗盡層寬度大于近源端。顯然,在UDS較小時(shí),溝道呈現(xiàn)一定電阻,ID隨UDS成線性規(guī)律變化(如圖Z0124曲線OA段);若UGS再繼續(xù)增大,耗盡層也隨之增寬,導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄,尤其是近漏端更加明顯。由于溝道電阻的增大,ID增長(zhǎng)變慢了(如圖曲線AB段),當(dāng)UDS增大到等于|VP|時(shí),溝道在近漏端首先發(fā)生耗盡層相碰的現(xiàn)象。這種狀態(tài)稱為預(yù)夾斷。這時(shí)管子并不截止,因?yàn)槁┰磧蓸O間的場(chǎng)強(qiáng)已足夠大,完全可以把向漏極漂移的全部電子吸引過(guò)去形成漏極飽和電流IDSS (這種情況如曲線B點(diǎn)):當(dāng)UDS>|VP|再增加時(shí),耗盡層從近漏端開始沿溝道加長(zhǎng)它的接觸部分,形成夾斷區(qū) 。由于耗盡層的電阻比溝道電阻大得多,所以比|VP|大的那部分電壓基本上降在夾斷區(qū)上,使夾斷區(qū)形成很強(qiáng)的電場(chǎng),它完全可以把溝道中向漏極漂移的電子拉向漏極,形成漏極電流。因?yàn)槲幢粖A斷的溝道上的電壓基本保持不變,于是向漏極方向漂移的電子也基本保持不變,管子呈恒流特性(如曲線BC段)。但是,如果再增加UDS達(dá)到BUDS時(shí)(BUDS稱為擊穿電壓)進(jìn)入夾斷區(qū)的電子將被強(qiáng)電場(chǎng)加速而獲得很大的動(dòng)能,這些電子和夾斷區(qū)內(nèi)的原子碰撞發(fā)生鏈鎖反應(yīng),產(chǎn)生大量的新生載流予,使ID急劇增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象(如曲線CD段)。
由此可見,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流ID受UGS和UDS的雙重控制。這種電壓的控制作用,是場(chǎng)效應(yīng)管具有放大作用的基礎(chǔ)。
三、特性曲線
1.輸出特性曲線
輸出特性曲線是柵源電壓UGS取不同定值時(shí),漏極電流ID 隨漏源電壓UDS 變化的一簇關(guān)系曲線,如圖Z0124所示。由圖可知,各條曲線有共同的變化規(guī)律。UGS越負(fù),曲線越向下移動(dòng))這是因?yàn)閷?duì)于相同的UDS,UGS越負(fù),耗盡層越寬,導(dǎo)電溝道越窄,ID越小。
由圖還可看出,輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域即可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。"
◆可變電阻區(qū):預(yù)夾斷以前的區(qū)域。其特點(diǎn)是,當(dāng)0<UDS<|VP|時(shí),ID幾乎與UDS呈線性關(guān)系增長(zhǎng),UGS愈負(fù),曲線上升斜率愈小。在此區(qū)域內(nèi),場(chǎng)效應(yīng)管等效為一個(gè)受UGS控制的可變電阻。
◆恒流區(qū):圖中兩條虛線之間的部分。其特點(diǎn)是,當(dāng)UDS>|VP|時(shí),ID幾乎不隨UDS變化,保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制,兩者變量之間近乎成線性關(guān)系,所以該區(qū)域又稱線性放大區(qū)。
◆擊穿區(qū):右側(cè)虛線以右之區(qū)域。此區(qū)域內(nèi)UDS>BUDS,管子被擊穿,ID隨UDS的增加而急劇增加。
2.轉(zhuǎn)移特性曲線
當(dāng)UDS一定時(shí),ID與UGS之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)UDS>|VP|后,即恒流區(qū)內(nèi),ID 受UDS影響甚小,所以轉(zhuǎn)移特性通常只畫一條。在工程計(jì)算中,與恒流區(qū)相對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性可以近似地用下式表示:
式GS0127中VP≤UGS≤0,IDSS是UGS=0時(shí)的漏極飽和電流。