晶振的負(fù)載電容問題

負(fù)載電容(請參閱數(shù)據(jù)表中的具體說明)

注：有效負(fù)載電容

晶振制造商通常會在晶振的數(shù)據(jù)表中定義有效負(fù)載電容。從電子學(xué)角度來說，電容器以串行方式連接到引腳XIN 與XOUT上，這時(shí)有效負(fù)載電容為：

C(eff) = {C(XIN) ? C(XOUT)}/{C(XIN) + C(XOUT)}

因此，晶振的數(shù)據(jù)表中規(guī)定12pF的有效負(fù)載電容要求在每個(gè)引腳XIN 與 XOUT上具有22pF(2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容)。 MSP430x1xx 與 MSP430x3xx 系列為32kHz振蕩器提供了約12pF的固定集成負(fù)載電容器，并且無需任何其它外部負(fù)載電容器即可支持需要6pF有效負(fù)載電容的晶振。高頻率 XTAL 振蕩器無內(nèi)置負(fù)載電容器。 MSP430x4xx 系列為低頻率與高頻率模式下的LFXT1 振蕩器提供了軟件可選的集成負(fù)載電容器。該器件數(shù)據(jù)表中提供了可選值。XT2 振蕩器沒有任何內(nèi)置負(fù)載電容器。

ESR

為了確保振蕩器操作穩(wěn)定，MSP430x1xx 與MSP430x3xx 系列均需要ESR < 50kOhm的32kHz晶振。MSP430x4xx 系列的低功耗振蕩器需要 ESR < 100kOhm的 32kHz 晶振。 高頻率晶振的建議 ESR 值是 <= 40Ohms(頻率為8MHz時(shí))。 與建議的最大值相比，ESR的值越低，振蕩器啟動(dòng)性能與穩(wěn)定性也越好。

設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)：

使晶振、外部電容器(如果有)與 MSP430 之間的信號線盡可能保持最短。當(dāng)非常低的電流通過MSP430晶振振蕩器時(shí)，如果線路太長，會使它對 EMC、ESD 與串?dāng)_產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。

如果MSP430在插座中：請注意插座會給振蕩器增加寄生電容。

盡可能將其它時(shí)鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠(yuǎn)離晶振連接的位置。

當(dāng)心晶振和地的走線

將晶振外殼接地

當(dāng) VCC < 2.5 V 時(shí)，MSP430x1xx 的 LFXT1 振蕩器要求在LF模式下使用從XOUT 到 VSS 的 5.1MOhm 電阻器。

一般電容的計(jì)算公式是：

兩邊電容為Cg,Cd,

負(fù)載電容為Cl

cl=cg*cd/(cg+cd)+a

就是說負(fù)載電容15pf的話，兩邊個(gè)接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF

擴(kuò)展閱讀：關(guān)于RC阻容復(fù)位電路的問題