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[導讀]​旁路電容不是理論概念,而是一個經(jīng)常使用的實用方法,在50 -- 60年代,這個詞也就有它特有的含義,現(xiàn)在已不多用。電子管或者晶體管是需要偏置的,就是決定工作點的直流供電條件。例如電子管的柵極相對于陰極往

旁路電容不是理論概念,而是一個經(jīng)常使用的實用方法,在50 -- 60年代,這個詞也就有它特有的含義,現(xiàn)在已不多用。電子管或者晶體管是需要偏置的,就是決定工作點的直流供電條件。例如電子管的柵極相對于陰極往往要求加有負壓,為了在一個直流電源下工作,就在陰極對地串接一個電阻,利用板流形成陰極的對地正電位,而柵極直流接地,這種偏置技術(shù)叫做“自偏”,但是對(交流)信號而言,這同時又是一個負反饋,為了消除這個影響,就在這個電阻上并聯(lián)一個足夠大的點容,這就叫旁路電容。后來也有的資料把它引申使用于類似情況。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用:一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感,它的并行共振頻率大約在7MHz左右,也就是說,對于 10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果,對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容,并行共振頻率在20MHz以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容,或1個蓄能電容,可選10μF左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取 0.01μF。

一般來說,容量為uf級的電容,象電解電容或鉭電容,他的電感較大,諧振頻率較小,對低頻信號通過較好,而對高頻信號,表現(xiàn)出較強的電感性,阻抗較大,同時,大電容還可以起到局部電荷池的作用,可以減少局部的干擾通過電源耦合出去;容量為0.001~0.1uf的電容,一般為陶瓷電容或云母電容,電感小,諧振頻率高,對高頻信號的阻抗較小,可以為高頻干擾信號提供一條旁路,減少外界對該局部的耦合干擾

旁路是把前級或電源攜帶的高頻雜波或信號濾除;去藕是為保正輸出端的穩(wěn)定輸出(主要是針對器件的工作)而設的“小水塘”,在其他大電流工作時保證電源的波動范圍不會影響該電路的工作;補充一點就是所謂的藕合:是在前后級間傳遞信號而不互相影響各級靜態(tài)工作點的元件

有源器件在開關(guān)時產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直流電源給有源器件,以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導到地。

摘引自倫德全《電路板級的電磁兼容設計》一文,該論文對噪聲耦和路徑、去耦電容和旁路電容的使用都講得不錯。請參閱。

從電路來說,總是存在驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。如果負載電容比較大,驅(qū)動電路要把電容充電、放電,才能完成信號的跳變,在上升沿比較陡峭的時候,電流比較大,這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會產(chǎn)生反彈),這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲,會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去耦電容就是起到一個電池的作用,滿足驅(qū)動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。

旁路電容實際也是去耦合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據(jù)諧振頻率一般是 0.1u,0.01u等,而去耦合電容一般比較大,是10u或者更大,依據(jù)電路中分布參數(shù),以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。

1,耦合,有聯(lián)系的意思。

2,耦合元件,尤其是指使輸入輸出產(chǎn)生聯(lián)系的元件。

3,去耦合元件,指消除信號聯(lián)系的元件。

4,去耦合電容簡稱去耦電容。

5,例如,晶體管放大器發(fā)射極有一個自給偏壓電阻,它同時又使信號產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合,這個電阻就是產(chǎn)生了耦合的元件,如果在這個電阻兩端并聯(lián)一個電容,由于適當容量的電容器對交流信號較小的阻抗(這需要計算)這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應,故稱此電容為去耦電容。

去耦和旁路都可以看作濾波。正如ppxp所說,去耦電容相當于電池,避免由于電流的突變而使電壓下降,相當于濾紋波。具體容值可以根據(jù)電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大,對更高頻率的噪聲,基本無效。旁路電容就是針對高頻來的,也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成一個RLC串聯(lián)模型。在某個頻率,會發(fā)生諧振,此時電容的阻抗就等于其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖,就會發(fā)現(xiàn)一般都是一個V形的曲線。具體曲線與電容的介質(zhì)有關(guān),所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質(zhì),一個比較保險的方法就是多并幾個電容。

我們在畫電路的交流等效圖時,認為電源的正負極是連在一起的。但是實際上中間還隔了一個電源內(nèi)阻。在這里并上一個合適的電容。就可以看成是真正的消除了電源內(nèi)阻的影響,以至于前后級電路不會通過電源干擾。

去耦電容是電路中防止前后級電路的干擾信號通過電源相互串擾,相當于濾波作用。

在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。

對于同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling,也稱退耦)電容是把輸出信號的干擾作為濾除對象。

在供電電源和地之間也經(jīng)常連接去耦電容,它有三個方面的作用:一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲,切斷其通過供電回路進行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構(gòu)成干擾。

去耦電容由C1、C2、C3并聯(lián)分別承擔低頻、高頻交流成分濾波的任務。電解電容C1一般容量較大,在低頻時能提供好的通路,而在高頻時由于其寄生電感的存在阻抗將變大無法提供濾波通路,這里取10uF;陶瓷電容C2由于其容量一般較小,所以在低頻時阻抗較大無法提供濾波通路,而在高頻時阻抗變小則會有很好的濾波特性,這里取0.1uF;這樣可以看出C1、C2的濾波特性是互補的,需要同時利用才能得到較寬頻的有效濾波范圍。當然,如果需要更寬的濾波頻段還可用更多不同類型的電容并聯(lián)得到,如這里的C3,取0.01uF。 電源線要盡可能寬,使阻抗降低,減小尖峰效應。去耦一定要好,數(shù)模電源

一定要分開,分別把高質(zhì)量的陶瓷去耦電容盡可能近的接到各自引腳。這里再介紹一下電源去耦電路參數(shù)的選擇:

C1的選擇:c1=K*I*tr/U,這里

假設電源提供電流為I,則

K通常取10,是經(jīng)驗比例。

參數(shù)含義見圖11。(抱歉,圖沾不上)

一般應用時取電容標稱值在計算值 附近就可以了。

C2的選擇:

C2為高頻陶瓷電容,一般在0.1uF以下取值。

旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象,而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象,防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質(zhì)區(qū)別,不知道前面諸位仁兄為何不提這個。

所謂“去耦”的得名,前面已經(jīng)說的非常清楚;

所謂“旁路”,就是給高頻噪聲一條低阻的釋放途徑。有點馬其諾防線的意思。

 

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