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[導讀]日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可調及固定輸出電壓選擇的 LDO 控制器,該器件采用 n 通道 MOSFET,可在高達 7A 的極高電流情況下提供不到 50mV 的超低壓降。

日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可調及固定輸出電壓選擇的 LDO 控制器,該器件采用 n 通道 MOSFET,可在高達 7A 的極高電流情況下提供不到 50mV 的超低壓降。

該SiP21301器件已進行了優(yōu)化,可驅動 n 通道 MOSFET,以便為游戲機、機頂盒、液晶電視及網絡設備中的 FPGA、ASIC 及 ASSP 供電。由于可與具有單獨電源電壓的外部 n 通道 MOSFET 一同使用,因此 SiP21301SiP21301 可使設計人員選擇導通電阻、壓降、輸出電流及功耗額定值最適合他們應用的 FET,在電流高達 7A 時,其工作電壓介于 0.65V~2.5V。SiP21301解決方案高達 80% 的效率有助于降低終端產品中的能耗,同時可簡化直流到直流轉換器的設計。 

新型 SiP21301可在提供 7A 峰值電流時保持穩(wěn)壓,該器件非常適用于在開啟時具有高浪涌電流并且具有超低壓降要求的系統(tǒng)。 SiP21301具有可編程的啟動時浪涌電流保護、短路保護、熱關斷及欠壓鎖定功能,可實現(xiàn) IC 及外部 MOSFET 的安全運行。 

該控制器提供了可調輸出電壓以及 1.2V 與 1.5V 的固定輸出電壓選擇。該器件可提供低工作電流、低待機電流以及 1% 的輸出電壓精度。

該SiP21301采用小型無鉛 (Pb) MSOP8 封裝,可在 -40°C~+125°C 的結溫范圍內工作。 

目前,SiP21301LDO 控制器的樣品和量產批量已可提供,最初訂單的供貨周期為 8~12 周。 
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