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[導(dǎo)讀]硅襯底氮化鎵基LED技術(shù)所獨(dú)有的垂直結(jié)構(gòu)、大晶圓尺寸、襯底無損剝離工藝等,使得硅襯底LED在這一領(lǐng)域擁有天然的優(yōu)勢。

近期,長方集團(tuán)觸及漲停板。值得關(guān)注的是據(jù)6月12日公告,長方集團(tuán)第二次臨時股東大會審議通過《關(guān)于向持股 5%以上股東借款暨關(guān)聯(lián)交易的議案》,即長方集團(tuán)將向公司副董事長、總經(jīng)理李迪初免息借款不超過1億元人民幣。 去年5月份,南昌光谷以5.2元/股的價格拿下長方集團(tuán)控股權(quán),長方集團(tuán)的實(shí)際控制人變更為王敏。之后,南昌光谷正通過逐步受讓長方集團(tuán)股份的方式,不斷加強(qiáng)對上市公司的控制權(quán)。 南昌光谷入主長方集團(tuán)后,上市公司業(yè)績逐步好轉(zhuǎn)。根據(jù)長方集團(tuán)發(fā)布的2019年一季報(bào)財(cái)報(bào)顯示,公司2019年1月份至3月份實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入3.45億元,同比增長5.32%;歸屬于上市公司股東的凈利潤有負(fù)轉(zhuǎn)正,達(dá)到1626萬元,同比增長464.11%。 向好的業(yè)績及充足的現(xiàn)金,令市場重燃了長方集團(tuán)可能即將啟動戰(zhàn)略協(xié)同和整合的推測。究其根本,新任公司實(shí)控人王敏,還是一家高科技企業(yè)——晶能光電(江西)有限公司的法定代表人及CEO。 手握LED行業(yè)重大自主知識產(chǎn)權(quán),資本建立戰(zhàn)略協(xié)同 公開資料顯示,晶能光電成立于2006年2月份,是由金沙江創(chuàng)投、亞太資源、Mayfield、淡馬錫等多家頂級風(fēng)險投資機(jī)構(gòu)共同投資,專門從事LED外延材料與芯片生產(chǎn)的高科技企業(yè)。 其中,晶能光電自主創(chuàng)新的硅襯底LED技術(shù)曾經(jīng)獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎,是一項(xiàng)改寫半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)。國家863專家組對此項(xiàng)技術(shù)的評價是:“打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國Cree公司壟斷碳化硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面,形成了藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面。”該技術(shù)目前在全球申請或擁有350多項(xiàng)專利,已授權(quán)專利147項(xiàng),其中國際專利47項(xiàng)。 晶能光電是硅襯底LED技術(shù)的上游企業(yè),而同樣由王敏主導(dǎo)的南昌光谷集團(tuán),則是硅襯底LED下游應(yīng)用企業(yè)的控股平臺。而長方集團(tuán),則是硅襯底LED中下游產(chǎn)業(yè)鏈的重要支撐平臺。在王敏成為長方集團(tuán)實(shí)控人后,市場便高度關(guān)注以實(shí)控人和資本為媒介,長方集團(tuán)與晶能光電建立戰(zhàn)略協(xié)同的可能性。市場破局:硅襯底LED技術(shù)帶來產(chǎn)業(yè)變革 IHS預(yù)測,至2020年,全球LED照明市場將達(dá)到1000億美元,這意味著,全球LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模正呈快速增長之勢。 盡管我國起步較晚,但是發(fā)展迅猛。據(jù)了解,目前全球60%~70%的LED照明產(chǎn)品是在中國生產(chǎn)制造,我國LED生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量在2萬家以上,用于制造LED芯片的MOCVD數(shù)量達(dá)1200多臺。 雖然我國是LED制造大國,現(xiàn)已進(jìn)入LED產(chǎn)業(yè)的繁榮時期,但繁榮背后卻是多數(shù)企業(yè)和資本的低效率。歸結(jié)原因,主要是我國90%以上的LED生產(chǎn)企業(yè)均在跟蹤模仿國外的技術(shù),大部分企業(yè)缺少核心專利技術(shù)及品牌,同質(zhì)化嚴(yán)重,通過拼價格、拼規(guī)模、拼投資,在中低端照明市場掙扎。 低效率的環(huán)境下,市場已經(jīng)意識到了唯有先進(jìn)的技術(shù)才是突破口。2015年據(jù)路透社報(bào)道,晶能光電財(cái)團(tuán)出價25億歐元并購飛利浦LED照明業(yè)務(wù)(實(shí)為Philips Lumileds和車燈事業(yè)部)。然而在美國政府方的阻撓下,該并購計(jì)劃并未成功實(shí)現(xiàn)。 晶能光電積花費(fèi)多年時間,經(jīng)過三千多次實(shí)驗(yàn),終于攻克了硅襯底GaN 基LED路線(硅襯底LED技術(shù))這一世界難題,并在巨額研發(fā)經(jīng)費(fèi)的推動下,使硅襯底LED產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)在同類研究中均處于國際領(lǐng)先水平,并與藍(lán)寶石、碳化硅兩條技術(shù)路線持平。 據(jù)了解,目前硅襯底LED技術(shù)已經(jīng)在手機(jī)、汽車照明、5G、特種照明等領(lǐng)域應(yīng)用,此外,硅襯底LED技術(shù)還可擴(kuò)展到被稱為次世代終極顯示技術(shù)的Micro LED新興領(lǐng)域。據(jù)了解,Micro LED作為新一代顯示技術(shù),被認(rèn)為有望帶來千億級的應(yīng)用市場,蘋果、三星、LG、FACEBOOK等多家國際企業(yè)早已開始布局。業(yè)界認(rèn)為,硅襯底氮化鎵基LED技術(shù)所獨(dú)有的垂直結(jié)構(gòu)、大晶圓尺寸、襯底無損剝離工藝等,使得硅襯底LED在這一領(lǐng)域擁有天然的優(yōu)勢。

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