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[導(dǎo)讀]5.2.4 MOS管的選取開關(guān)管MOSFET最大漏極電流IDMAX應(yīng)大于開關(guān)管所流過的峰值電流IPKP至少1.5倍,MOSFET的漏源擊穿電壓(參考圖四)BVDSS應(yīng)大于最大輸入電壓,VOR以及漏感引起的

5.2.4 MOS管的選取

開關(guān)管MOSFET最大漏極電流IDMAX應(yīng)大于開關(guān)管所流過的峰值電流IPKP至少1.5倍,MOSFET的漏源擊穿電壓(參考圖四)BVDSS應(yīng)大于最大輸入電壓,VOR以及漏感引起的尖峰之和,一般應(yīng)留至少90%的余量。

 

5.2.5 次級整流管的選取

考慮一定的裕量,次級整流管D最大反向電壓VRM需滿足:

 

 

因為反激式開關(guān)電源次級整流二極管只有在電源Toff的時候才會導(dǎo)通,輸出在導(dǎo)通時必須能夠承受整個輸出電流的容許值。輸出二極管需要的最小正向?qū)ǚ逯惦娏鳛椋?/p>

 

 

Dmax為工作周期,如果設(shè)定Dmax為0.5則Ifps>4Iout

5.2.6 輸出電容的選取

輸出電容電壓通常呈現(xiàn)兩種紋波,一種是由高頻輸出電流引起,主要與輸出電容的等效竄連電阻(ESR)大小有關(guān),另外一種是低頻紋波,為了獲得較高的PF值,環(huán)路帶寬通常較窄,因此輸出不可避免地出現(xiàn)較大的兩倍輸入電壓頻率紋波,其值與電容大小有關(guān),一般說來低頻紋波滿足要求時,高頻紋波因為電容等效ESR夠小,可以忽視。電容的容量可以參考各個廠家的規(guī)格書(一般選用高頻低阻型)選用,根據(jù)產(chǎn)品的實際工作溫度,電壓和考慮產(chǎn)品的MTBF選取合適的電容系列型號。

5.2.7 IC主要外圍參數(shù)選取

5.2.7.1 最大導(dǎo)通時間典型參數(shù)選取

 

 

圖五

 

 

 

 

5.2.7.2 Cs Pin參數(shù)選取

 

 

R1與C1為用來濾除突波的濾波器

R1: 100?~300?

C1: 100PF~470PF

 

 

圖六

5.2.7.3 RZCD參數(shù)選取

 

 

圖七

 

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六、用LD7830和LD8105做的24V0.7A的實際應(yīng)用實例

6.1. 電路:

 

 

圖八

6.2.實際測試相關(guān)參數(shù):

6.2.1 空載功耗在輸入AC264V為0.29W,低于0.3W

 

 

圖九

6.2.2 效率和PF值曲線

 

 

圖十

6.2.3 CV-CC曲線以及說明

Led照明驅(qū)動電源必須以恒流CC模式和恒壓CV模式來控制,由于LED的正向?qū)▔航禃S著焊接面的溫度升高而降低,導(dǎo)致LED的電流會增大,使溫度升高,從而導(dǎo)致LED的壽命減少,甚至可能會造成產(chǎn)品的損害。所以參考圖八電路,次級部分采用了LD8105來做CV/CC模式控制,LD8105是一款高精度的CV/CC模式控制IC,與其它同類IC比較具有電流檢測電壓低,Vcc輸入電壓比較寬,工作電流小等特點,從而可以提高整個系統(tǒng)的效率和應(yīng)用范圍。

 

 

圖11

本文的目的是為了進行類似電路設(shè)計的開發(fā)人員或者準(zhǔn)備用類似線路做設(shè)計的人員提供一個基本設(shè)計的參考資料,希望本文中一些經(jīng)驗?zāi)軌驇偷酱蠹摇?/p>

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