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[導(dǎo)讀] LED芯片使用過程中會出現(xiàn)的那些“BUG”1.正向電壓降低,暗光A:一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。B:一種是

 

LED芯片使用過程中會出現(xiàn)的那些“BUG”

1.正向電壓降低,暗光

A:一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

B:一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。

另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,從而表現(xiàn)暗點,還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低,正向壓降正常。

2.難壓焊:(主要有打不粘,電極脫落,打穿電極)

A:打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠

B:有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。

C:打穿電極:通常與芯片材料有關(guān),材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般GAALAS材料(如高紅,紅外芯片)較GAP材料易打穿電極。

D:壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調(diào)整。

3.發(fā)光顏色差異

A:同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄,生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。

B:GAP黃綠芯片,發(fā)光波長不會有很大偏差,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,偏綠。由于波長是外延片材料決定的,區(qū)域越小,出現(xiàn)顏色偏差概念越小,故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

C:GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色,這是由于其發(fā)光機理為間接躍進。受雜質(zhì)濃度影響,電流密度加大時,易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和,發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色。

4.閘流體效應(yīng).

A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導(dǎo)通,當電壓加高到一定程度,電流產(chǎn)生突變。

B:產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現(xiàn)了反向夾層,有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現(xiàn)為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。

5.反向漏電

A:原因:外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。

B:不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。

C:外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過毛細現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。

LED開關(guān)電源散熱失敗的原因

led內(nèi)部的散熱設(shè)計,相信是大家比較容易忽視的是發(fā)光面的發(fā)熱現(xiàn)象,比如發(fā)光面溫度能夠達到一百度以上,或者透鏡如果不能給發(fā)光面進行熱緩沖,這些都是可能造成散熱失敗的原因。

led開關(guān)電源散熱原因分析如下:

1、LED光源熱阻大、光源熱散不出、使用任何導(dǎo)熱膏都會使散熱運動失敗;

2、利用鋁基板作為PCB連接光源,由于鋁基板有多重熱阻,光源熱傳不出去,不管用任何導(dǎo)熱膏一樣會使散熱運動失敗;

3、利用鋁基板作為PCB連接光源,且做為散熱板成為散熱器的一部份,和中空散熱器接合,由于鋁基板和散熱器接觸。熱阻過大,使得所有導(dǎo)熱膏一樣會使散熱運動失敗。所以鋁基板是LED散熱的重中之重,其次是中空散熱器。

當然也有一種情況是象征性散熱,比如熱流是從兩邊到中間流動,然后是向上;在或者是接觸熱阻太大。

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