采用有很強負反饋的晶體管T可使電容充電電流近似與集電極電壓無關(guān)。調(diào)整R1可以得到所要求的鋸齒波幅度,改變R3可以改變集電極電流并從而調(diào)節(jié)頻率,轉(zhuǎn)換電容值可以在更大范圍上改變頻率。
圖中參數(shù):Ub=20V,R2=18M歐,R3=1M歐。

采用有很強負反饋的晶體管T可使電容充電電流近似與集電極電壓無關(guān)。調(diào)整R1可以得到所要求的鋸齒波幅度,改變R3可以改變集電極電流并從而調(diào)節(jié)頻率,轉(zhuǎn)換電容值可以在更大范圍上改變頻率。
圖中參數(shù):Ub=20V,R2=18M歐,R3=1M歐。
要點: 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...
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