區(qū)別于普通逆變器，高頻逆變電源在進行電流轉換的同時，會將低壓電轉變?yōu)楦哳l的低壓交流電。由于采用了高頻磁芯材料，所以高頻逆變電源能很大程度上提高電路的功率密度。在高頻逆變電源中，后級電路是一種被設計者們孰知的電路，其功能主要是進行放大和增強。
本篇文章就將介紹高頻逆變器中的后級電路，結合電路圖進行原理的分析和講解。
圖1
米勒電容對高壓MOS管安全的影響及其解決辦法。
很多人在使用IR2110推動全橋MOS時會變得非常不穩(wěn)定，經常莫名奇妙地炸管，往往在低壓試驗時好好的，母線電壓一調高就炸了，這確實是個令人非常頭疼的問題。這里就先來分析一下MOS管GD結電容，也叫米勒電容對半橋上下兩管開關的影響。供分析的電路如下：
圖2
圖2中C1、C2分別是Q1、Q2的GD結電容，左邊上下兩個波形分別是Q1、Q2的柵極驅動波形。先從t1-t2死區(qū)時刻開始分析，從圖2中可以看出這段時間為死區(qū)時間，也就是說這段時間內兩管都不導通，半橋中點電壓為母線電壓的一半，也就是說C1,C2充電也是母線電壓的一半。當驅動信號運行到t2時刻時，Q1的柵極變?yōu)楦唠娖?，Q1開始導通，半橋中點的電位急劇上升，C2通過母線電壓充電，充電電流通過驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4，這個充電電流會在驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4上產生一個毛刺電壓，請看圖中t2時刻那條紅色的豎線。如果這個毛刺電壓的幅值超過了Q2的開啟電壓Qth，半橋的上下兩管就共通了。有時候上下兩管輕微共通并不一定會炸管，但會造成功率管發(fā)熱，在母線上用示波器觀察也會看到很明顯的干擾毛刺。只有共通比較嚴重的時候才會炸管。還有一個特性就是母線電壓越高毛刺電壓也越高，也越會引起炸管。
大家知道了這個毛刺電壓產生的原理，下面就說一說問題的解決，主要有三種解決方法：
1、采用柵極有源鉗位電路。可以在MOS管的柵極直接用一個低阻的MOS管下拉，讓它在死區(qū)時導通;
2、采用RC或RCD吸收電路;
3、柵極加負壓關斷，這是效果最好的辦法，它可以通過電平平移使毛刺電壓平移到源極電平以下，但電路比較復雜;
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