HVL147和HVL147M的主要特點如下：
1. 電容小、導通電阻低、諧波失真度小
二極管的電容、導通電阻和諧波失真度這三個主要參數(shù)之間需要折衷。瑞薩科技利用溝道結構*1和外延層優(yōu)化*2的方法，同時對這三個參數(shù)作了改進。與瑞薩科技以前的產(chǎn)品相比，電容減少了15 % （在f = 1.8 GHz時）、導通電阻降低 了40 %（在IF = 1 mA時）、諧波失真度下降了3 dB（在Pin = +35 dBm時），由于損耗小、驅動電流較低、噪音較小，可以設計出性能較好的系統(tǒng) 。
2. 特別小而薄的封裝
與以前的產(chǎn)品一樣，HVL147采用同樣的超小型 EFP（Extremely Small Flat Lead Package）封裝 ，芯片的尺寸為 0.8 mm × 0.6 mm × 0.5 mm （典型值），而 HVL147M 則采用 TEFP （Thin-EFP）封裝，厚度為0.4 mm（典型值），比EFP封裝更薄，因而可以把產(chǎn)品設計得更加小、更加薄。
移動電話和無線局域網(wǎng)產(chǎn)品等高頻無線通信產(chǎn)品正在迅速地普及，人們要求使用三頻帶或者類似的多頻帶，并且要求具備多種功能。在這種情況下，不僅要求發(fā)射/接收開關更薄、更輕，還要求改善發(fā)射損失、節(jié)省功耗并改善向外發(fā)射的干擾，以便工作電流降低到1 mA甚至更低。
瑞薩科技公司目前大批量生產(chǎn)的HVL142A是用作發(fā)射/接收開關的PIN二極管，但是要同時改善電容、導通電阻和諧波失真度這三個主要特性，從而達到前面講到的要求，用普通的技術是很難做到的。瑞薩科技通過改變芯片結構并且對工藝進行了優(yōu)化，研制了HVL147 和 HVL147M，這三個特性都得到改善。
對于 HVL147 及 HVL147M這兩種 PIN二極管 ，由于把以前的產(chǎn)品（例如HVL142A）使用的平面結構改為溝道結構*3，并且對影響這三個特性參數(shù)的外延層和工藝進行了優(yōu)化，電容、導通電阻和諧波失真度這三個主要特性參數(shù)都得到了改善。
具體地講，與HVL142A相比，電容減少了15 %，在頻率為1.8 GHz時的電容下降到 0.16 pF；導通電阻降低 了40%，在電流為 1 mA時，導通電阻為2.1 Ω；諧波失真度下降了3 dB，在Pin = +35 dBm時的諧波失真度為 –45.1 dBc。在作為發(fā)射/接收開關使用時，特性參數(shù)的上述改善具有以下益處：
(1) 由于在關斷時的電容較小，可以改善在發(fā)射/接收期間的隔離性能和發(fā)射損失，因而噪音較低、效率較高。
(2) 由于降低了導通電阻，有可能降低驅動的偏置電流，因而可以通過低功耗設計來節(jié)省功率。
(3) 由于改善了高次諧波失真度，既使在輸入很強時，向外發(fā)射的電磁干擾也很低，因而能夠降低噪音?！ ?/P>
HVL147使用的EFP封裝 和 HVL147M使用的TEFP封裝極小、很薄，而且在封裝的外面裝有引腳，在安裝之后，可以用肉眼檢查焊點。
將來，計劃利用這項技術增加產(chǎn)品的種類，擴大其用途，其中包括研制進一步降低電容、提高隔離性能的產(chǎn)品，以及著重降低導通電阻、從而改善損耗特性的產(chǎn)品。
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